存储技术的现状与未来

存储器在最近这几年随着便携式产品的发展,有了许多不同的面貌与空间,在终端产品轻、薄、短、小的要求之下,半导体存储技术自然脱颖而出,本文将就未来存储器型态可能的样貌进行探讨.     

真空溅射制备PZT铁电薄膜

采用射频溅射法制备了ＰＺＴ铁电薄膜材料，测量了薄膜材料的介电常数和电滞回线，分析了薄膜的成分。ＸＲＤ分析结果表明，溅射形成的ＰＺＴ薄膜的结构和铁电性能强烈依赖于成膜工艺中的衬底温度。薄膜的居里点为２５０℃左右，靶的组成以Ｐｂ１．１０（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３为宜。     

基于铁电存储器编程技术的DSP SPI引导装载方案

介绍了一种SPI接口的新型铁电存储器FRAM,同时还分析了TMS320VC5402DSP的SPI引导装载模式,提出了一种基于FRAM编程技术的DSP脱机独立运行系统的设计方案。     

FM20L08型铁电存储器的原理及应用

本文主要介绍了铁电存储器FM20L08的原理及应用.该存储器不仅克服了EEPROM和Flash存储器写入时间长、擦写次数少等缺点,而且增加了电压监控器和软件控制的写保护功能,1MB的存储容量足以替代静态随机存储器.介绍FM20L08的引脚功能和工作原理,并在此基础上给出基于FM20L08的高速数据存储系统的设计方案及与单片机的接口电路.     

并行接口铁电存储器FM1808及其应用

RAMTRON公司生产的并行接口高性能铁电存储器FM1808是NV -SRAM的理想替代产品。文中介绍了FM1808的性能特点、引脚功能和工作原理 ,同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别 ,给出了FM1808的设计应用要点     

铁电存储器在存储测试系统中的应用

为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。     

空间光通信系统可靠性设计与实现

提出了光通信系统可靠性设计的硬件和软件方法,设计和实现了一种新的高可靠性代码存储方法,对用传统的FLASH存储加载程序与用FRAM存储加载程序的方法进行了对比,通过将代码存放在FRAM中,用SPI引导加载的方法有效提高了代码存储加载的安全性.     

基于ATTT022B高精度智能电表的设计

提出一种基于多功能防窃电基波谐波三相电能计量芯片ATT7022B和低功耗单片机STC89C51的电表实现方案。该设计用高精度计量芯片ATT7022B进行电压、电流、电量等各项参数的采集,设计的电能表具有高精度、低功耗、防窃电等特点。所设计的电能表也可作为配电监控终端单元,同时具有灵活的远程校表功能。     

铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究

运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁电电容翻转是由瞬态电流脉冲产生的单位面积电荷量决定,最后解释了翻转的原因。     

一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间, 同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。