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101.
针对生物组织介电特性高频同轴测量几种常用分析计算模型,在100 MHz~1 GHz 频段对不同浓度NaCl 溶液的介电特性进行实测计算,在适用范围、分析计算复杂性、准确性和稳定性等方面对这些模型进行对比研究。实际测量计算结果显示:含辐射项的等效电路模型计算误差较低,计算稳定性较高,对确定其模型参数的标准物要求较高;不含辐射项的等效电路模型易于理解、计算简单,但计算精度有待提高,计算结果受被测物、测量频率的影响较大,且同样需要较好的标准物确定其参数;准静态场分析模型不需要标准物确定参数,但模型分析较为复杂,计算耗时较高,且计算结果稳定性不足。本研究结果将为生物组织介电特性高频同轴测量分析计算模型的选用提供可靠参考。 相似文献
102.
103.
Aiming at the hysteretic characteristics of classification problem existed in current internet traffic identification field,this paper investigates the traffic characteristic suitable for the on-line traffic classification,such as quality of service (QoS).By the theoretical analysis and the experimental observation,two characteristics (the ACK-Len ab and ACK-Len ba) were obtained.They are the data volume which first be sent by the communication parties continuously.For these two characteristics only depend on data’s total length of the first few packets on the flow,network traffic can be classified in the early time when the flow arrived.The experiment based on decision tree C4.5 algorithm,with above 97% accuracy.The result indicated that the characteristics proposed can commendably reflect behavior patterns of the network application,although they are simple. 相似文献
104.
105.
三端子有源矩阵液晶显示器 总被引:3,自引:4,他引:3
主要介绍了TFT特别是a-SiTFT矩阵寻址的液晶显示器的结构、制作工艺、工作原理、动态和驱动特性,并着重对其器件参数的选择进行了分析,为今后器件的设计提供了理论依据。同时也介绍了其它三端子方式AMLCD的特点及所存在的问题。 相似文献
106.
在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟。该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件ID-VG特性的影响。结果表明:模拟曲线与实验曲线基本一致,能较好地模拟和描述铁电场效应晶体管的ID-VG特性。 相似文献
107.
周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性 总被引:2,自引:0,他引:2
实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4~120℃)和极化周期(28.5~30.5 μm),实现了信号光在1449.6~1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm. 相似文献
108.
109.
为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。 相似文献
110.