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141.
介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。 相似文献
142.
结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO∶Al)薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2) ,都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进. 相似文献
143.
144.
The growth of GaN and A1N films on (0001) substrates of 6H-SiC has produced high-quality opto-electronic films. The SiC surface
at the interface with GaN or A1N is either Si-terminated or C-terminated, and the Si-terminated interface is known to be the
better substrate, producing higher-quality films. The polarity of the interface is important, as recognized by Sasaki and
Matsuoka. We propose that the main relevant parameter for characterizing the interface and its potential for producing high-quality
opto-electronic GaN or A1N films is the interfacial charge, which leads to the best films when the charge is positive and
relatively large. The positive charge reduces the size of the Nions at the interface and hence improves the local lattice match. (The charges are approximately −0.45 lei and +0.55 lei on the interfacial N and Si atoms, respectively.) Therefore,
while the polarity of the interface is important, the polarity's effect on the local lattice mismatch is what leads to a high-quality
interface. These ideas are consistent with XPS data and are supported by electronegativity arguments, by calculations for
ordinary mono-bonded GaN/SiC superlattices (with N-Si and Ga-C interfaces) and by computations for superlattices with tri-bonded
interfaces. We predict that the tri-bonded N-Si interface of GaN/SiC should produce excellent GaN and AIN films. 相似文献
145.
研究了不同厚度ITO膜的大尺寸超薄导电玻璃的翘曲度,ITO膜形成期间基片温度对ITO膜层晶体化程度的影响及不同基片温度下形成的ITO膜层在不同的退火条件下的退火前、后的电阻率和膜压应力.实验发现,ITO膜层的很高的压应力是导致导电膜玻璃翘曲的直接原因;采用室温沉积非晶ITO膜,然后经高温热退火可获得低膜压应力多晶相ITO膜.基于实验结论,提出了一种适合批量生产的低翘曲度ITO膜导电玻璃的制备工艺. 相似文献
146.
通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的 相似文献
147.
量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性,可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性,本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底,理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象,产生有序的量子点分布特征,发现图形衬底的缺陷诱导在平台边缘和沟壑边缘成核,形成较大的量子点.在Stranski-Krastanow模式下图形衬底制备多周期量子点,发现多周期生长可以弱化台阶结构对量子点分布的限制作用. 相似文献
148.
The epitaxial growths of GaN films and GaN-based LEDs on various patterned sapphire substrates (PSSes) with different values of fill factor (f) and slanted angle (θ) are investigated in detail. The threading dislocation (TD) density is lower in the film grown on the PSS with a smaller fill factor, resulting in a higher internal quantum efficiency (IQE). Also the ability of the LED to withstand the electrostatic discharge (ESD) increases as the fill factor decreases. The illumination output power of the LED is affected by both θ and f. It is found that the illumination output power of the LED grown on the PSS with a lower production of tanθ and f is higher than that with a higher production of tanθ and f. 相似文献
149.
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 下载免费PDF全文
We present the growth of GaN epilayer on Si (111)
substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN
epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical
vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness
on structural properties of the GaN epilayer has been investigated
by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical
microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that
an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important
role in increasing compressive strain and improving crystal quality
during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more
compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and
reduce the crack density and threading dislocation density in GaN
film. 相似文献
150.