集总负载平行板有界波电磁脉冲模拟器的并行时域有限差分模拟

介绍了用于集总负载平行板有界波电磁脉冲模拟器模拟的并行时域有限差分方法,分析了模拟器的几个尺寸参数对工作空间的场的影响。研究表明：当下金属板宽度大于或等于工作空间平板宽度的1.5倍时,前过渡段附近的测试点电场的上升沿受前过渡段投影长度的影响较小,而工作空间中心附近的测试点电场的上升沿则随着投影长度的增大而减小,但减小趋于平缓;所有测试点电场的上升沿均随下金属板宽度的增大而减小,但减小趋于平缓;对于前过渡段投影长度固定的模拟器,其高度并不是越小(大)越好,而是存在一个最佳高度值。     

电磁脉冲斜入射时对孔缝耦合效应的数值分析

 利用时域有限差分法（FDTD）研究了电磁脉冲对不同孔洞的耦合规律。分别分析了电磁脉冲对正方形、长方形和多孔洞的耦合效应，讨论了不同极化方向的电磁脉冲对孔洞的耦合能量的规律。研究表明：电磁脉冲对正方形孔洞的耦合能量较小；而对长方形，当脉冲极化方向与长方形短边平行时，耦合能量最大；在孔洞面积相同的条件下，对多孔洞的能量耦合要比单孔洞小。     

一维电磁脉冲模拟器的理论分析和设计

 为解决一维导体结构的电磁脉冲响应实验困难，提出了一维电磁脉冲模拟器的概念，并从理论上对电磁脉冲在一维结构上的感应电流进行了计算，结果分析说明了建立一维电磁脉冲模拟设备的可行性，并对该模拟器设计中的几个问题进行了讨论。     

电磁脉冲对太阳电池的损伤效应研究

针对电磁脉冲对太阳电池造成的损伤效应,通过器件-电路联合仿真的方法,在建立硅太阳电池单元器件模型的基础上,分析研究了在阶跃脉冲电压的注入下,太阳电池性能的退化情况.结果表明:在电压幅值一定时,上升时间存在一临界值,当上升时间大于这一临界值时,太阳电池的性能退化是可恢复的,小于这一临界值时,太阳电池短路电流和开路电压将迅速衰减,填充因子也随之减小,电池部分失效甚至全部毁坏.在上升时间一定时,不同幅值的电压都会使得电池的短路电流和开路电压下降,但相对于开路电压,短路电流的下降并不显著,当电压幅值大于某一值时,开路电压下降趋于加快,随着电压幅值的不断增加,太阳电池将被击穿,从而完全失效.     

对DUM63～66型高频开关电源EMC设计的分析与改进思考

高频开关电源设备工作在较高频率，外界与本机元器件会产生电磁感应相互干扰，而电源噪声将进一步影响通信网络中其他设备的正常工作，因此应该对其电磁兼容性（EMC）设计加以重视。文中以上海新电元通信公司生产的DUM63-66型高频开关整流器来具体说明其电磁兼容性EMC设计及不足，并且根据实际工作故障提出电路改进，达到提高电磁兼容性的目的。     

一种用于电磁脉冲效应实验的计算机系统

设计了一种专门用来进行电磁脉冲效应实验的计算机系统。介绍了该系统的结构及工作原理。提出了故障重现的概念,分析了故障重现的实现方法。将该计算机系统用于电磁脉冲效应实验,观察到了多种故障现象,测出了故障阈值。实践表明,该系统是计算机电磁脉冲效应实验的有力工具。     

电磁脉冲下螺旋天线瞬态响应的仿真研究

由于通信天线经常工作在宽带或者多频带模式,为了对电磁干扰下的通信天线进行保护,对天线时域特性的仿真必不可少.其中一个需要研究的问题就是将天线装载于金属平台上并同时使用脉冲源激励.文中使用一种具有通用性的数值方法--时域电场积分方程,仿真了电磁脉冲照射下螺旋天线的宽带瞬态响应特性.采用拉革尔多项式作为全域时间基函数来展开时间变量,获得求解线天线散射辐射问题的时域电场积分方程,也就是阶数步进递推格式,最后使用数值计算得到了螺旋天线的瞬态响应特性.     

快速重组指控系统的组态设计

在研究组态原理的基础上，提出了在快速重组的指控系统中实现组态原理的方法，并在核常规导弹指控系统抗电磁脉冲的快速重组技术上得到了部分应用，证明利用组态原理建立的指控系统具有较强的抗毁特性和可调整特性，提高了指控系统的战场生存能力。     

快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象

 为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰，利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程，采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究，分别观察了正反偏电压脉冲作用下过冲电流的产生过程并进行了分析。分析表明，过冲电流是和PIN二极管在高频下的容性表现相关的，无论是在正电压还是负电压情况下，脉冲上升沿时间越短、初始正偏压越高，则过冲电流密度的峰值越高。     

分布式负载垂直极化有界波电磁脉冲模拟器外泄场的规律分析

将基于MPI平台的并行时域有限差分(FDTD)方法与基于完全磁导体(PMC)镜像法相结合,并结合CST模拟软件,模拟给出分布式负载垂直极化有界波电磁脉冲(EMP)的外泄场(包括侧泄场和后泄场)的分布规律。模拟结果与实验结果符合得很好。研究表明:在高度方向上,地面附近的外泄场峰值最大,但远离模拟器时,在1.5 m高的高度范围内,外泄场的峰值差别不大;不管采用何种双指数脉冲源,距离模拟器边缘位置比较近的测点在传输线段的侧泄场的幅值大于分布式负载段侧泄场的幅值,且两者都大于分布式负载末端的后泄场幅值,但随着测点与模拟器边缘的垂直距离的增加,分布式负载段的后泄场可能会比侧泄场大;对于电压峰值相同的双指数激励源而言,所含的高频分量越多,在一定范围内,从其分布式负载末端外泄的后泄场更大;模拟器下方大地的电导率增加,模拟器的外泄场增加。