MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究

深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨.通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较,给出了满意的物理解释.负栅压退火和正栅压退火的比较表明负栅压退火更为有效.     

The Anomalous Effect of Interface Traps on Generation Current in Lightly Doped Drain nMOSFET＇s

The anomalous phenomenon of generation current ICD in the lightly doped drain （LDD） nMOSFET measured under the drain bias VD-step mode is reported. We propose an assumption of activated （A） and frozen （F） traps for the VD-step mode： The A traps contributes to ICD while the F process can make them lose the roles as generation centers. The A and F regions can form the F-A region. The comparison of the F and A regions decides the role of the F-A region. The experiments confirm the assumption.     

IP电话的通话质量评价

IP电话是通过不一定保证质量的网络而拨打的语音业务，如何评价、设计和管理其质量，是非常重要的问题。评价方法是MOS(Mean Opinion Score)。     

诗意与技巧的完美融合《李云迪:北京现场独奏会》专辑全球首发

2010年12月24日,被誉为浪漫主义钢琴大师的李云迪在国内发行了最新专辑(李云迪:北京现场独奏会>(Yundi:Live inBeijing).这张新专辑自2010年1月开始在网上预售,目前已达到白金销量,创下其专辑销售的又一项纪录.2011年3月21日,EMI在英国伦敦举行了这张专辑的全球首发发布会.新东家对这位中...     

减少D类放大器中的电磁干扰

最近这些年,许多包含电动扬声器（powered speaker）的便携设备得到了快速发展——包括手机、MP3播放器、GPS系统、膝上型电脑和笔记本电脑、平板电脑、游戏机、玩具等等。在这些应用中,通常选用的驱动扬声器的音频放大器类型被称为D类（或开关）放大器,因为相比传统的AB类放大器设计,     

3D图像数据库主观评估系统的建立

针对于3D图像质量评估方法不足,用于研究的主观数据库较少的现象。文中进行了以下工作:利用已有的EPFL数据库,从每一个场景从中选取主观评分最高的左右视图,并对左右视图进行同等程度的失真,失真类型包括:JPEG,JPEG2000,高斯白噪声,高斯模糊4种类型。每一个场景选取5组失真等级不同的图像,进行主观评分,最后用通用的PSNR验证了主观数据的真实有效性。     

玩转VS9000免卡机(连载)--硬件打摩篇

打开机器前面板的电路板发现，四位数码管的②脚未使用(图十)，经测试发现该脚为四个小数点的公共脚，由于该四位数码管采用共阳极接线方式，因此②脚接低电平有效。于是利用该引脚给机器加装遥控指示功能，首先找到贴片三极管FQ2的集电极，然后添加C、R、BQ、D四个元件，按图十一搭焊连接即可。     

SiC元器件领先投入实际应用

在面向后硅时代的研发中，SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用（见图A-2）。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管，并且在2006年3月又推出功率损耗更少的第二代产品。关于MOS晶体管，日本ROHM公司预定在2006年内开始提供样品。三菱电机公司使用自行开发的MOS晶体管和肖特基势垒二极管构成变频器电路，用于驱动额定功率3．7kW的电动机。并且已经证实，同使用硅元器件时相比，功率损耗大约减少54％。     

基于压缩感知的SAR-GMTI实现

将压缩感知理论应用于合成孔径雷达(SAR)系统,可以有效地减小数据采样、传输、存储的压力。主要研究将合成孔径雷达-地面动目标指示(SAR-GMTI)回波信号压缩感知采样后,如何应用采样得到的少量观测值检测出是否有运动目标存在,应用压缩感知采样信号检测方法实现距离向压缩、二次门限检测,以此确定目标是否存在。     

一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度.