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81.
82.
一种用于核辐射监测信号的多微处理系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了4兆伏静电正离子加速器的监测防护系统,该系统由多个微处理器与主控机分布式分布,组成高速多通道辐射信号采集控制系统,可以对多点核辐射的能量、强度、剂量率,剂量及剂量当量进行监测.系统的核电路部分采用最新的芯片产品,合理的硬件安排,优化的软件编程,在仅更换不同的探头后,便可探测分析γ,X及快中子辐射.在参数稍做调整之后,就可以广泛应用于类似条件的其他场所的辐射监测.  相似文献   
83.
When an electron bunch is compressed in a chicane compressor, the CSR (coherent synchrotron radiation) will induce energy redistribution along the bunch. Such energy redistribution will affect the longitudinal emittance as a direct consequence. It will also excite betatron oscillation due to the chromatic transfer functions, and hence a transverse emittance change. So, it is indispensable for us to find a way to alleviate the CSR-caused emittance dilution and the bad result of chicane compressor in PKU-FEL.  相似文献   
84.
白心爱 《红外》2020,41(6):12-16
为了使导弹拥有方达到突防的目的,在分析背景辐射的基础上,利用空间目标表面温度数学模型计算了不同高度下空间目标表面的温度场分布,并分析讨论了高度对红外辐射特性的影响。结果表明,无论是白天还是夜间,高度都不会成为区分诱饵与弹头的参数,但尽可能在白天部署可以降低击中率,从而达到突防的效果。  相似文献   
85.
二维多群辐射输运程序LARED-R-1的并行化   总被引:3,自引:2,他引:1  
张爱清  莫则尧 《计算物理》2007,24(2):146-152
利用有向图描述数据依赖关系,应用已有的并行流水线通量扫描算法,实现基于非协调网格的二维辐射输运程序LARED-R-1的并行化.同时,采用消息缓冲技术提高并行程序的性能.经测试,对于典型的问题规模(100群、3800个网格单元、40个方向),在某并行机的64个和128个处理器上,并行程序分别获得80%和53%的并行效率.  相似文献   
86.
模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧道电子效应与建立的界面态所占比例的不同影响器件的恢复率.  相似文献   
87.
热传导方程的一类无网格方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
李寿佛  张瑗  刘玉珍 《计算物理》2007,24(5):573-580
构造求解热传导方程的一类无网格方法,只要选择好每个节点的适当的邻点集合,便可利用节点信息顺利进行计算.作为特殊情形,也可在各种结构或非结构网格上进行计算.在矩形或均匀平行四边形网格上进行计算时具有二阶精度,当在任意的不规则四边形或三角形网格上计算时仍然是守恒的和相容的,且至少具有一阶精度.作为数值试验,将该方法用于在不规则四边形网格上及四边形与三角形混合网格上求解二维非线性抛物型方程,并在不规则四边形网格上求解二维三温辐射热传导方程,均获得了较为理想的数值结果.  相似文献   
88.
提出了利用地面非合作辐射源如FM广播的外辐射源机载预警雷达系统的概念。为了分析影响其性能的关键因素——信杂比的变化范围和状况,分析、仿真了典型FM广播电台的辐射方向图尤其是垂直方向图,结合FM台站、AEW接收系统和目标的空间位置关系,利用双基地雷达的信号模型,得到了信杂比-60~-110dB的分布范围及其类似于信噪比变化的卡西尼卵形线的变化规律。  相似文献   
89.
太赫兹辐射原理与若干应用   总被引:3,自引:3,他引:3  
文章介绍了太赫兹辐射的原理及在安全检查、中药鉴别等方面的应用。  相似文献   
90.
源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟   总被引:3,自引:3,他引:3  
研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关  相似文献   
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