一种光电式电压传感器及其温度漂移补偿方法

提出了一种利用发光二极管(LED)电致发光(EL)效 应的光电式电压传感器,其传感单元仅由一个电阻器和 两个LED组成。被测交流电压施加于一个高阻值(例如100MΩ)的电 阻器,产生μA级的泄漏电流并驱动 两个LED发光,用两根塑料光纤将此光强传输至光电探测器,则通过测量光强度即可获知被 测电压。选用 阻值约为100MΩ的电阻器,在室温条件下实验测量了0.2~5.5kV的工频电压,传感器输出与被测电压有效 值之间存在较好的线性关系,其非线性误差低于 3.1%。同时,提出并 实验验证了一种利用两路光传感信号 实现电压传感器输出随温度漂移的补偿方法,在5.5kV的被测电压范 围及－40～+60℃的温度范围内,补偿 后传感器输出的温度漂移约为±2.1%。本文的光电式电压传感器不需 要额外光源,并具有结构简单、成本低等优点。     

采用瞬态EL和延迟EL测试方法研究磷光掺杂体系的内部发光过程

有机磷光发光二极管(OLED)因为理论内量子效率能达到100%而成为研究热点,但是至今有机磷光OLED器件发光机理及过程仍然不完全清楚,需进一步研究. 本文中搭建了一套瞬态电致发光和延迟电致发光的测量系统,并首次综合运用瞬态电致发光和延迟电致发光测量来探测有机磷光OLED 器件发光层内部电荷载流子的运动,从而分析研究其内部发光过程及机理. 研究中首先制备了一种高效红色磷光材料(pbt)₂Ir(acac)衍生物(Irf)掺杂荧光材料作为发光层的器件,对其进行了瞬态EL测量,发现当驱动脉冲信号撤销时瞬态发光强度会突然出现一个瞬时过冲现象(transient overshoot),通过实验分析证实这个发光的瞬时过冲是由于发光层内部电子和空穴累积造成的,还证实了在发光层与空穴传输层界面存在空穴的累积. 通过延迟电致发光的研究发现在这种掺杂体系中发光主要来自于客体材料Irf的直接俘获电子空穴复合发光,而不是来自于主客体之间的能量传递,器件中的空穴传输发生在客体材料Irf上,而电子传递则主要在主体材料TAZ上. 同时还发现空穴注入是整个掺杂体系中重要的影响因素. 关键词： 瞬态EL 延迟电致发光 三线态-三线态湮没 overshoot     

基于电致发光成像理论的硅太阳电池缺陷检测

基于半导体电致发光（EL）的基本理论,在理想P-N结模型条件下,定量计算正向偏压时硅太阳电池EL强度与少数载流子扩散长度的对应关系;分析了电池片中缺陷和扩散长度（EL强度）的关系,指出通过硅电池EL图像检测电池缺陷的可行性。搭建实验平台,分别拍摄单晶硅和多晶硅电池的EL图像,从中成功检测出各种缺陷;编写可视化裂纹自动检...     

以Ta2O5为电子加速层的MEH-PPV的发光

以Ta2O5为加速层,制备了结构为ITO/Ta2O5/MEH-PPV/Ta2O5/Al的电致发光(EL)器件.通过对器件的EL特性、发光波形随驱动电压变化关系等的研究发现,器件的发光性质和发光机理与固态类阴极射线发光现象一致.研究结果表明,固态类阴极射线发光是一种普遍现象,用具有加速电子能力的Ta2O5作为加速层的EL...     

Bifunctional organic materials for OLEDs based on Tröger’s base: Subtle structural changes and significant differences in electroluminescence

Three bifunctional organic materials based on Tröger’s base (TB) scaffold have been designed, synthesized and their functional utility in OLEDs demonstrated through fabrication of devices. The diarylamino-functionalized TBs, i.e., A-TB, PA-TB and P-TB, are all amorphous with considerably high T_gs and permit modulation of electroluminescence with variation of one of the N-aryl rings, e.g., anthryl to 10-phenylanthryl to pyrenyl. Subtle structural modifications are found to manifest in rare pure yellow EL emission from PA-TB.     

MgZnO/ZnO p-n异质结的制备与特性

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/Zn0的p-n异质结,并研究了其I-V特性:开启电压约为3.6V,结特性良好.比较了n型ZnO层与P型MgxZn1-xO层的电阻率、迁移率和载流子浓度.ZnO层的电阻率很小,载流子浓度很大;而Mgxzn1-xO层的电阻率却大幅度的增加,载流子浓度较ZnO层小了一个数量级.通过对其n型与P型层的光致发光(PL)谱的测试发现,ZnO层与Mgxzn1-xO层分别在382和370nm处存在着由自由激子复合而导致的紫外发光峰,为近带边发光.MgxZn1-xO的紫外峰明显弱于ZnO样品的,这是由于MgZnO合金中易形成分相所造成的,所以现阶段其晶体质量还不能与ZnO的相比.另外,两样品在480nm附近都存在着比较弱的深能级发光峰,这是晶体的本征缺陷或其他杂质的引入造成的,并对样品进行了X射线衍射(XRD)谱与电致发光(EL)谱等测试与分析.     

芴类衍生物有机电致发光器件中的激基复合物

利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光谱。结果表明,F2Py在溶液状态下的本征PL峰值位于452 nm,在薄膜状态下的本征PL峰值位于448 nm,而F2Py与NPB的混合物的PL发光峰在544 nm。在器件的EL光谱中,观察到了位于530~550 nm范围的激基复合物发光峰,以及来自F2Py与NPB激子发光的共同作用形成的位于430nm左右的肩峰。当F2Py层厚度为50 nm时,器件的启亮电压为17 V,最高亮度为58 cd/m2;而当F2Py厚度为20 nm并加入了Alq3(10 nm)做电子传输层(ETL)时,器件启亮电压为8 V,最高亮度为5030 cd/m2,EL性能大大提高。     

Poly[(3,3′-dimethyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diyl)ethynediyl(2,5-dioctyl-1,4-phenylene)ethynediyl] and a related copolymer – new blue EL polymers

Electroluminescence (EL) properties of a new poly(aryleneethynylene) and a related copolymer were studied. They are poly[(3,3′-dimethyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diyl)ethynediyl(2,5-dioctyl-1,4-phenylene)ethynediyl] (PPEBE) and related copolymer (PPEBE-co-mP) containing 20 mole % of 1,3-phenylene units. Both polymers are blue-light emitters; the former was found to perform better than the latter when the light-emitting diode (LED) device had the configuration of ITO/PEDOT/polymer/Li:Al. The device constructed with the former polymer exhibited the external quantum efficiency of 0.05 and the maximum brightness higher than 400 cd/m² with its EL spectrum showing maxima at λ = 445 and 472 nm. The performance of the device constructed with the copolymer was about one fifth of the device fabricated with the homopolymer.