混合磁芯脉冲电压耦合器的宽频带电路仿真模型

采用阻抗不同的AB两种磁芯,提出了两种混合AB磁芯的脉冲电压耦合器模型,即AA+BB和A+B两种混合磁芯设计方案,然后建立了电路仿真模型进行分析;最后,制作试验电路对该耦合器进行高压电容器放电试验。高压试验结果表明,混合磁芯耦合器的仿真电压和电流波形与试验波形基本吻合,从而验证了电路仿真模型的正确性。     

不同磁芯材料在微电感中的应用

叙述了坡莫合金,铁氧体和非晶、纳米晶软磁等材料用作微电感磁芯的磁性材料的特性及其对微电感性能的影响,如电感量和Q值.并介绍了螺线管型微电感的制作工艺过程.     

2-氨基-3-硝基吡啶和2-氨基-5-硝基吡啶的EI/MS/MS分析

2 氨基 3 硝基吡啶和2 氨基 5 硝基吡啶的一级质谱图接近,单纯通过一级质谱图较难区分这两种异构体,利用离子阱质谱的串联质谱技术对2 氨基 3 硝基吡啶和2 氨基 5 硝基吡啶在离子阱内以He作碰撞气进行碰撞诱导裂解,所得的二级质谱图表明,两者之间存在明显的差别,可用于2 氨基 3 硝基吡啶和2 氨基 5 硝基吡啶的鉴别。     

紧凑Tesla变压器型纳秒脉冲源

采用带有开路磁芯的Tesla变压器与单筒脉冲形成线一体化结构,研制了一台基于Tesla变压器的紧凑GW级纳秒脉冲源,该源包括一个40Ω脉冲形成线、内置Tesla变压器、初级电路及高压吹气主开关等,具有变比高、结构紧凑、能量传输效率高、便于重复频率运行等特点。给出了脉冲形成线、Tesla变压器和主开关等的工作原理、设计方法和模拟计算。实验结果表明,该脉冲源输出电压大于200kV,脉冲宽度约8ns,可以在重复频率100Hz、平均输出功率1GW情况下稳定运行,实验结果与理论设计相符。     

埋磁芯多层印制电路板制作工艺探讨

文章主要针对埋磁芯多层PCB的制作工艺进行研究,通过嵌入磁芯层压定位技术、磁芯材料同心圆套钻技术、盲埋孔真空树脂塞孔、不对称铜厚分步蚀刻技术,实现了埋入磁芯多层印制板的研发生产;同时满足了客户在阻值、电感、磁芯损耗等方面的特种需求。     

kA级脉冲电流注入环的电路建模与分析北大核心CSCD

为满足kA级脉冲电流注入应用需求,设计了一种基于非晶磁芯的电流注入环,其初级线圈采用线缆直接引出的方式,有效解决了传统注入环N型电缆接头耐压不足的问题。之后根据注入环结构建立了其电路模型,并应用粒子群优化算法确定了模型参数值。频域和时域的验证实验表明,仿真结果和实验结果具有较好的一致性,验证了该电路模型的可靠性和正确性。对注入环的实际应用场景进行了仿真分析,结果表明该电流注入环可满足实际应用中kA级脉冲电流注入的需求。     

快放电直线型变压器驱动源磁芯脉冲损耗特性

建立了快脉冲磁芯损耗特性测试平台,对比研究了50 m的DG6硅钢和25 m的2605TCA非晶两种材料磁芯损耗特性;采用一种新的特征参量(磁芯单位面积上激磁电压陡度)来规范磁芯的激磁电压条件,使得实验结果与快放电直线型变压器驱动源实际工作条件下磁芯性能具有可比性;通过测量初级漏电流及次级开路电压,获得了相同激磁条件下两种磁芯等效损耗电阻的大小,50 m 的DG6硅钢磁芯损耗约为25 m的2605TCA非晶磁芯损耗的4倍;计算了两种材料磁芯总损耗中涡流损耗所占的比例,50 m的DG6硅钢磁芯涡流损耗占总损耗的75%,25 m的2605TCA非晶磁芯涡流损耗占总损耗的28%。     

纳米晶磁芯恒定磁化速率磁性能参数

设计加工了一套可用于测量环形磁芯在8～12 T/s恒定磁化速率下脉冲性能的实验平台,该实验装置主要包括脉冲形成网络、放电开关、匹配负载及被测磁芯。基于该平台对国产的铁基纳米晶磁芯的磁化曲线进行了测试,得到了铁基纳米晶磁芯在200～300 ns范围内的损耗和非饱和脉冲导磁率。实验结果表明:铁基纳米晶磁芯的相对脉冲导磁率随着磁感应增量增大及工作脉宽减小而减小,磁芯损耗则逐渐增大。     

低频干扰电流探头中磁芯材料的选择对其检测性能的影响

本文通过分别对采用铁氧体和铁基非晶合金为磁芯材料的低频干扰电流探头的测试性能的比较分析,讨论了由于铁基非晶合金自身良好的磁性能,使得电流探头在测试低频干扰电流时的测试性能大大提高,从而对于解决目前国内所设计制作的干扰电流探头在测试低频干扰电流时探头灵敏度低、测试不准确这一问题提供了实验依据。     

快脉冲直线变压器驱动源模块的原理及实验

 介绍了直线型变压器驱动源（LTD）产生快脉冲的基本原理及技术优势,阐述了快脉冲LTD模块设计的要点,设计了输出脉冲上升时间小于100 ns的快脉冲LTD模块,并进行了初步的实验研究。实验得到该LTD模块充电±16 kV时,短路放电的电流峰值为23.7 kA,电流振荡1/4周期为69.6 ns;充电±50 kV驱动0.85 Ω负载时,电流峰值为41.4 kA,上升时间为36.8 ns（10%~90%）和60.8 ns（0~100%）。