偏光片细微外观缺陷偏振成像检测方法

针对偏光片细微外观缺陷难以成像、难以检测的问题,该文提出一种基于偏振成像的外观缺陷检测新方法。通过缺陷偏振态指标测量结果,定性描述了对比度增强机理。利用缺陷与正常区域之间透射光偏振态的显著差异,大幅提高缺陷的成像对比度,从而简化后续图像处理算法,提高检测速度和准确率。实验结果表明,偏光片外观缺陷平均检出率达到97.3%,平均单个样品检测时间约为0.22 s,基本满足产业化应用要求。     

无蜂窝大规模MIMO中基于深度强化学习的无人机辅助通信与资源调度

无蜂窝大规模多入多出(MIMO)网络中分布式接入点(AP)同时服务多个用户,可以实现较大区域内虚拟MIMO的大容量传输;而无人机辅助通信能够为该目标区域热点或边缘用户提供覆盖增强。为了降低反馈链路负载,并有效提升无人机辅助通信的频谱利用率,该文研究了基于AP功率分配、无人机服务区选择和接入用户选择的联合调度;首先将AP功率分配和无人机服务区选择问题联合建模为双动作马尔可夫决策过程 (DAMDP),提出了基于Q-learning和卷积神经网络(CNN)的深度强化学习(DRL)算法;然后将用户调度构造为一个0-1优化问题,并分解成子问题来求解。仿真结果表明,该文提出的基于DRL的资源调度方案与现有方案相比,可以有效提升无蜂窝大规模MIMO网络中频谱利用率。     

移动IP及其改进技术

为了在移动通信网络中运用IP协议，因特网工程任务组(Internet Engineering Task Force,IETF)制定了Mobile IP协议。Mobile IP是一种简单可扩展的全球Internet移动解决方案，使节点在切换链路时仍可保持正在进行的通信。传统的Mobile IP中要求移动节点移动到异地网络时获得转交地址，数据通过隧道经由家乡代理转发给移动节点。然而当移动节点在微移动条件下频繁移动时，传统的Mobile IP存在着许多不足。本详细介绍了移动IP的工作原理以及移动IP机制中的路由优化策略，并且针对微移动问题，从切换质量、路由更新、位置更新等方面比较了Mobile和Cellular IP、HAWAⅡ、TeleMIP等几种改进方法的性能。     

共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题

对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对 RTD的设计和研制有一定的指导作用     

Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.     

垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。     

纳米吸波材料的物理实质及研究进展

吸波材料是隐身技术的关键材料,纳米材料由于其特殊的量子尺寸效应和隧道效应等产生的优良的电磁波吸收性能而受到世界各国的重视．本文简单介绍了吸波材料的工作原理,进而阐述了纳米吸波材料吸收电磁波的物理实质．详细介绍了纳米涂敷型吸波材料和纳米结构型吸波材料的研究现状,并对纳米吸波材料的发展趋势进行了展望．     

Deep‐UV Photochemistry and Patterning of (Aminoethylaminomethyl)phenethylsiloxane Self‐Assembled Monolayers

The 193 nm photochemistry of (aminoethylaminomethyl)phenethylsiloxane (PEDA) self‐assembled monolayers (SAMs) under ambient conditions is described. The primary photodegradation pathways at low exposure doses (< 100 mJ cm^–2) are benzylic C–N bond cleavage (ca. 68 %), with oxidation of the benzyl C to the aldehyde, and Si–C bond cleavage (ca. 32 %). Amine‐containing photoproducts released from the SAM during exposure remain physisorbed on the surface, where they undergo secondary photolysis leading to their complete degradation and removal after ca. 1200 mJ cm^–2. NaCl(aq) post‐exposure rinsing removes the physisorbed materials, showing that degradation of the original PEDA species (leaving Si–OH) is substantially complete after ca. 450 mJ cm^–2. Consequently, patterned, rinsed PEDA SAMs function as efficient templates for fabrication of high‐resolution, negative‐tone, electroless metal and DNA features with good selectivity at low dose (i.e., ca. 400 mJ cm^–2) via materials grafting to the intact amines remaining in the unirradiated PEDA SAM regions.     

基于SiGe量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器

提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.     

一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.