A mechanism for asymmetric data writing failure

As dynamic random access memory (DRAM) technology develops further, it is more difficult to sustain a sufficient sensing margin to detect weak cell data. Therefore, a high data writing performance is necessary in order to guarantee the data sensing margin. In this paper, an analysis of the phenomenon of an asymmetric data writing failure (ADWF) is presented, taking account of a bit line sense amplifier (BLSA) offset, and the failure mechanism has been studied through the use of measurement analysis.     

图文电视中大容量数字存储器的设计

提出了图文电视中的大容量数字存储器电路设计方案，详细描述了设计的基本思想和两个ＦＰＧＡ功能模块的具体实现，简要介绍了图文电视的基本概念。     

High-speed charge transfer sense amplifier for 0.5 V DRAM array applications

A new high-speed charge transfer sense amplifier scheme is proposed for 0.5 V DRAM array applications. The combination of both the cross-coupled structure and the boosting capacitance used in the proposed sense amplifier leads to a maximum voltage difference between sense nodes. Based on post-layout simulations, the charge transfer speed and the voltage difference after charge transfer are improved 40.7% and 59.29%, respectively, over the prior art circuits. The power-delay product is then enhanced 38.26%. Besides, both high voltage pre-charge levels and high voltage control signals are not required in this proposed circuit as compared with prior arts.     

堆叠式内存制造中炉管非选择性半球状多晶硅片数效应

随着动态随机存取存储器(内存)线宽的缩小,需要半球状多晶硅等新技术来增大电容。当前对选择性半球状多晶硅论述较多,非选择性半球状多晶硅则较少提到。文中讲述的是炉管非选择性半球状多晶硅在0.13μm堆叠式内存上的实际应用,侧重于解决片数效应。炉管非选择性半球状多晶硅的下电极阻值具有非常严重的片数效应,电容的下极板电阻从炉管底部向上增高,并随着产品片数的增加而增高,导致上部产品良率偏低,一个制程只能生产一批产品。通过对非选择性半球状多晶硅的制程原理及硬件构造进行分析,发现片数效应是由于籽晶沉积阶段的硅烷流量通常非常小,只有10～15标准毫升,它在硅片上的分布密度会随着产品的增多而沿气流方向减少,沿气流方向的硅片只好通过增加籽晶和迁移步骤的温度来拉起更多的基体硅进入半球体,相应的剩余基体硅就会变薄,这就导致了下电极阻值的增高。文章根据该发现,提出了炉管非选择性半球状多晶硅片数效应的解决方法。     

空间太阳望远镜的星载固态存储器研制

空间太阳望远镜有五个载荷仪器,其每天产生的数据达1728GB,数据流以固态存储器为核心在星上数据处理系统各单元间调度,完成缓存、压缩、存储和下传.本文分析了对固态存储器的需求,建立了其状态机模型,并确定了总体设计方案.根据该方案用DSP和FPGA构成控制逻辑,用DRAM芯片阵列构成存储模块,制做的地面原理样机对系统功能进行了模拟和验证.     

基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现

分别基于Hynix公司的SRAM HY64UD16322A和DRAM HY57V281620E,介绍了采用两种不同的RAM结构,通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法.     

基于FPGA控制的高速固态存储器设计

文中对固态存储器进行了需求分析,根据航天工程对高速固态存储器的需求,确定了设计方案.针对航天工程对高速固态存储器速率要求较高的特点,在逻辑设计方面采用流水线技术、并行总线技术.在器件选择方面,采用LVDS构成接口电路,FPGA构成控制逻辑电路电路,SDRAM芯片阵列构成存储电路.设计了高速固态存储器.该设计简化了硬件电路,大大提高了存储数据的速率.     

Status and Trends in Advanced SOI Devices and Materials

提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法. 该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测. 所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用. 对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运. 所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释. 利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析. 而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.     

电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁.实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故...