当高速AndesCoreTM遇上低速EmbeddedFlash的芯片效能提升方法

AndesCorel除提供AHP,APB,HSMP接几外,亦可通过EILM接口与内存整合,使AndesCoreTM可以不通过AMBABUS直接通过EILM接口撷取指令。然而,嵌入式闪存（Flash）的执行速度目前并不能赶及AndesCoreTM的工作频率,     

几款通信用DSP芯片简介

许多厂商设计并生产通信用DSP芯片,这里介绍TexasInstruments公司、Motorola公司、Lucent公司及ZSP公司的几款通信用DSP芯片,供读者参考。 Texas Instruments公司的TMS320C20X是C2X的升级换代产品,与原代码TMS320C1X、TMS320C2X和TMS320C5X兼容,运算速度从20MIPS(每秒百万条指令)至40MIPS,最大的RAM容量为4.5K、TMS320C206、207具有32K的快闪存储器,工作电压3V和5V。可用于机顶盒、特色电话机、双向寻呼机、话密系统加密解密、可视电话解码、全自动无线电话的双向数据交换等。     

电力线MAC/PHY集成收发器INT51X1及其应用

介绍了美国Intellon公司的电力线MAC/PHY集成收发器INT51X1的功能结构和主要特点 ,介绍了它的引脚功能 ,同时以中压配电网OFDM通信系统的研究开发为例 ,给出了INT51XI的应用实例。     

提高引线键合机超声系统性能的若干因素的分析

概述了引线键合机超声系统的组成，分析了影响引线键合机超声系统的若干因素，在此基础上提出了一些优化超声系统性能的措施。     

一种基于机器视觉的铝管缺陷检测系统

针对铝管生产过程中对准确、可量化的自动缺陷检测系统的迫切需要,本文引入一种由图像采集、缺陷检测、缺陷处理等模块组成的铝管缺陷检测系统。平板探测器获取由X光高压电源产生,穿过铝管的X射线并把所形成的数字图像通过USB端口发送至检测服务器。检测服务器使用机器视觉算法检测图像中的缺陷。当服务器检测到缺陷时,会向PCI板上指定位输出信号,报警装置接到信号后报警提醒工作人员。实验表明该系统能够自动、准确的标记出铝管中存在的缺陷,达到了系统的设计目标。     

基于DDS的高可靠性雷达信号发生器设计与实现

介绍了一种基于直接数字频率合成的高可靠性雷达信号发生器的设计方案,实现最高频率400 MHz的点频、线性调频和步进频率雷达信号输出。为提高系统可靠性设计加入了对系统工作状态进行监测和控制的闭环回路。测试结果表明系统输出信号频率稳定,可靠性高。     

脉冲等子体软X射线探测系统

研制了一种脉冲重复频率为１０Ｈｚ的激光等离子体软Ｘ射线源；设计并建立了以掠入射恒偏单色仪为基础的脉冲等离子体软Ｘ射线辐射测试系统。光源实验使用能量１０００ｍＪ（波长０．５３μｍ）的激光脉冲，聚焦在不同的金属靶上，使之离子化。这种高温等离子体产生的辐射包含了波长０．４～２０ｎｍ的软Ｘ光连续谱和迭加在其上的线谱。靶材有Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ和Ｂｉ。得到了不同原子序数的靶材辐射的光谱分布特性。     

一种低温漂的高精度带隙基准源的设计与分析

根据基准源产生的基本原理、特性,综合温度补偿及电阻分压技术,设计出了一款能广泛应用于开关电源PWM控制器、隔离反馈发生器等的带隙基准源。该基准源电路基于6μm标准BJT工艺实现,仿真结果表明,当电源电压为15 V时,当温度为25℃时,VREF输出为5 V;当12 V≤VCC≤25 V时,线性调整率为0.16 mV;当1 mA≤I0≤20 mA时,负载调整率为1.61 mV左右;温度稳定性良好,大约为0.05 mV/℃。     

后摩尔时代的封装技术

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。     

Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究

利用分子束外延（MBE）技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明，SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面，其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法，研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明，随着退火温度的提高，应变层垂直应变逐渐减小，并发生了应变弛豫，导致晶体质量退化；且Ge组分越小，Si1-xGex应变结构的热稳定性越好；室温下长时间存放的应变材料性能稳定。