0. 6 􀀁m CMOS 雷达天线专用控制芯片设计

雷达系统中天线控制电路完成上位机的初始化和扫描角度控制,要求具有高可靠性和低静态电流,用专用集成电路进行设计具有明显优势.采用Verilog HDL语言描述了系统的逻辑功能,超前进位结构的加/减法器提高了电路的工作速度.利用0.6 μm CMOS工艺完成了天线控制电路的物理实现,芯片面积为1.695 mm×1.631 mm.     

激光产生的铝、硅、氧、铜、硒等离子体X光谱

利用长晶格的OHM晶体谱仪,从激光等离子体中获得丰富的铜、硒类氖、类氟、类钠离子的二、三、四级软X射线衍射光谱和铝、氧、硅的类氢、类氦、类锂离子一到四级谱,波长在14～40(?)之间,在此基础上,本文较为细仔地分析了各光谱结构.     

新一代X射线激光器可用于观察分子构造

英国《新科学家》杂志日前刊载文章称，新一代X射线激光器能用于研究蛋白质和其他生物分子的构造和行为。新一代X射线激光器的能量将是现有设备的100亿倍，能使科学家观察到最微小最精妙的分子构造。利用这种技术可以破解复杂的蛋白质和完整的病毒结构，甚至可能获得DNA的三维图像。X射线激光器被称作自由电子激光器。与传统激光器不同，自由电子激光器并不是通过光照或电流刺激某种物质发射光子，而是使用粒子加速器让极小的电子云穿过磁铁组，这些磁铁把电子推来推去，直到电子释放出光脉冲。传统激光器的激光波长是由发射光子的物质本…     

碳纳米管被“激光镊子”牵鼻走

~~碳纳米管被“激光镊子”牵鼻走@汪道友~~     

X5045电路及其应用

X5045是一种集看门狗、电压监控和串行EEPROM三种功能于一身的可编程控制电路，文中介绍了它的主要特点和工作原理，同时结合8051单片机给出了MPU与X5045的接口电路与相应的读写程序。     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

科学家研制出微型芯片冷却器

据报道，近日，科学家们研制出了一体积与一个灰尘粒类似的微型芯片冷却器，将这种冷却器直接安装到芯片上部可有效起到降温作用。 这种冷却器由美国加州电子工程系教授阿里·沙科里研制，它是一种由硅、锗和碳合金制成的集成电路。这种冷却器传导功能极强，利用电子将热能从温度过高的区域传输和释放到大气当中，对降低芯片的温度效果显著。 沙科里表示，研究显示使用这种冷却器之后芯片的温度可以降低7～8度，经过一段时间的改进之后，相信可以将芯片温度降低30～40[(\266\310)(\241\243\324\244\274\306\325\342\326\326\300\344\310\264…     

本月热点

30％ AMD迎来大规模降价，桌面芯片降幅较大 AMD表示将降低旗下桌面处理器系列的价格．而此次价格下调的最高幅度甚至达到了惊人的30％．其中包括游戏、大型计算机等多个平台。与此同时．在此之前备受瞩目的单内核处理器以清仓性价格跳水．在此次的降价计划中并没有出现。     

薄铝埋点等离子体K线光谱半定量诊断

高温等离子体系统中存在等离子体流体力学运动演化过程、离子的离化分布演化动力学过程、高剥离态离子谱发射过程及发射芬光辐射输运过程等，而且高温等离子体系统通常是非平衡系统，所以定量研究高温等离子体系统的发射X光谱和高温等离子体对X光的吸收是一个非常复杂的问题。为了模拟和解释实验测得的激光等离子体发射光谱，提出了一种薄埋点靶：直径为φ200μm厚度为0．1μm的铝点埋在20μm厚的CH膜底衬中，表面再覆盖0．1μm厚CH膜。     

向实力派机种迈进 安桥TX-SR602 7.1声道AV接收机

“多声道环绕声解码放大器的进步，实际就是解码芯片的进步。”这句话说得果然不错，这一点在日本几大主要的环绕声放大器生产商不断的产品开发、推陈出新的过程中表现得尤为明显。