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101.
X5045电路及其应用 总被引:8,自引:0,他引:8
X5045是一种集看门狗、电压监控和串行EEPROM三种功能于一身的可编程控制电路,文中介绍了它的主要特点和工作原理,同时结合8051单片机给出了MPU与X5045的接口电路与相应的读写程序。 相似文献
102.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
104.
《电子科技》2002,(3):33-33
据报道,近日,科学家们研制出了一体积与一个灰尘粒类似的微型芯片冷却器,将这种冷却器直接安装到芯片上部可有效起到降温作用。 这种冷却器由美国加州电子工程系教授阿里·沙科里研制,它是一种由硅、锗和碳合金制成的集成电路。这种冷却器传导功能极强,利用电子将热能从温度过高的区域传输和释放到大气当中,对降低芯片的温度效果显著。 沙科里表示,研究显示使用这种冷却器之后芯片的温度可以降低7~8度,经过一段时间的改进之后,相信可以将芯片温度降低30~40[(\266\310)(\241\243\324\244\274\306\325\342\326\326\300\344\310\264… 相似文献
105.
自由电子激光的新进展 总被引:1,自引:1,他引:0
1 向X射线激光器迈进2000年2月在汉堡市DESY实验室超导TESLA试验装置(TTF)工作的国际研究小组创造了自由电子激光最短波长记录。从9个国家38个院所来的140名学者取得的成就是获得波长109nm的远紫外辐射振荡。以前使用同类自放大自发辐射自由电子激光器(SASE FEL)取得的最佳结果是波长530nm。后来经过数个星期的艰辛工作,又将波长降低至80nm(图1)[1]。为了取得这项成果,研究组运用了TTF的超导直线加速器的电子束。为了能在~6nm软X射线区工作,目前正对该装置做进一步的完善,可望于2003年准备就绪。该装置的建成为实现主… 相似文献
106.
107.
PeterL.Levin ReinholdLudwig 《世界电子元器件》2002,(5):43-45
通过简单地剪切和粘贴知识产权(IP)内核可以加快无工厂半导体公司的系统级芯片(SOC)设计。 过去十年中,涌现出大量的为系统制造商提供专用芯片(ASIC)的小型IC设计公司。这些被称为无工厂企业(因为他们将IC制造过程转交给商业芯片制造工厂),需要的启动资金较少,而且如果市场接受他们的产品的话,能够获得丰厚的回报。在大量设计工具的支持下,这些无工厂设计企业在历史悠久的大型芯片制造商,如IBM、Intel、Motorola和德州仪器公司所主导的市场中赢得了一席之地。 相似文献
108.
109.
高温等离子体系统中存在等离子体流体力学运动演化过程、离子的离化分布演化动力学过程、高剥离态离子谱发射过程及发射芬光辐射输运过程等,而且高温等离子体系统通常是非平衡系统,所以定量研究高温等离子体系统的发射X光谱和高温等离子体对X光的吸收是一个非常复杂的问题。为了模拟和解释实验测得的激光等离子体发射光谱,提出了一种薄埋点靶:直径为φ200μm厚度为0.1μm的铝点埋在20μm厚的CH膜底衬中,表面再覆盖0.1μm厚CH膜。 相似文献
110.
研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源,成像系统与9MeV高能工业CT相同,扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近,其空间分辨率也达到21p/mm(10%的调制度下)。 相似文献