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进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。 相似文献
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LCLC谐振变换器广泛应用在空间行波管放大器(TWTA)中,起到升压的作用.在LCLC谐振变换器中,具有多个谐振参数,即变压器漏感、串联谐振电容、励磁电感以及并联谐振电容.多个谐振参数增加了LCLC谐振变换器总损耗优化的难度.该文提出一种基于粒子群优化算法的LCLC谐振变换器优化设计方法,解决LCLC谐振变换器由于多个谐振参数造成的总损耗优化困难的问题.首先,推导了LCLC谐振变换器的总损耗公式;其次,采用粒子群优化算法,对LCLC谐振变换器的总损耗进行了优化,得到了总损耗最小时的谐振变换器参数;最后,基于优化的LCLC谐振变换器参数,搭建了LCLC谐振变换器,并进行了一系列实验.实验结果证明了该优化设计方法的有效性. 相似文献
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介绍德州仪器公司推出的内含MOSFET的TPS54350型高效DC-DC变换器的特性及引脚功能.描述TPS54350在某信号处理器供电系统中的应用,给出供电系统的详细设计方案和参考电路,同时也对实际工作中可能出现的问题进行了讨论,供硬件设计者参考. 相似文献
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本文在分析有源箝位反激DC/DC变换器工作原理基础上开展电路设计,根据理论参数计算选择箝位器件,实现了软开关,设计相关保护电路,给出了电路在不同温度下的测试结果与电压波形。实验结果表明本文设计的变换器电路在消除吸收电路损耗同时,显著提高了开关电源的效率。 相似文献
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文章时DX-1000中坡发射机阻抗变换器的原理、电抗元件的计算、参数的选取等进行了分析和阐述,同时还对阻抗变换器的调整与维护进行了介绍. 相似文献
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延长电池工作时间是便携式电子产品中最难实现且非常重要的一项工作。如果再考虑设备的体积、重量及成本因素,设计任务就更加艰巨。其中由体积限制引入的问题最多,这不仅是因为它直接限制了电池容量,而且还影响电源变换器的设计,变换器中的储能或传能元件如电感和电容,其损耗与体积成反比,体积越小。功耗越大。效率越低。几乎所有的便携式产品都有某种类型的高速数字处理电路,它们通常要求有很稳定的电源。从技术上讲,未经稳压的电源也可以供这类设备正常工作,因此它们可通过电池直接供电,然而这种方式在实际产品中却很少被采用,… 相似文献
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