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991.
基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图.分别对部分耗尽的nMOS/SOI和pMOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图.结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109 cm-2·eV-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011 cm-2·eV-1. 相似文献
992.
993.
以硅作为衬底,以采用不同直流(DC)磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管(TFTs)器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如:0.156 V/dec的亚阈值摆幅(SS)、-3.596 V的开启电压(VON)、-1.872 V的阈值电压(VTH)和高达7.773×108的电流开关比(ION/IOFF).与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性.由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升. 相似文献
994.
采用TI公司的TMS320F28335设计了一种用于液压转台伺服控制的驱动器。为保证控制精度和实时性,采用DSP进行控制和管理;采用MAX532D/A转换器实现高速高精度的模拟量输出;设计了一种电压/电流转换电路实现了控制电流输出;为进一步提高控制品质,采用软件模拟方法产生颤振信号。实验表明,该伺服控制驱动能够对模拟环境进行快速而有效的控制。 相似文献
995.
在工业领域,电机的运行状态关系到生产的效率和安全,是广大机电控制技术人员关注的重点。随着数字式控制系统的发展,嵌入式单片机在电机控制系统的应用越来越广发,对电机的控制更加的安全、可靠,能使电机长时间处于良好的工作状态,其稳定性也得到了显著的提升。嵌入式单片机在电机控制系统中的应用可以分为软件应用和硬件应用,硬件提供基本的物理框架支撑,软件提供基本的信息、数据处理渠道,也只有这样,才能有效提升电机控制系统的性能,这也是建立高速实时电机控制系统的前提。 相似文献
996.
997.
998.
999.
1000.
本文研究了周期对称势中时间非对称外力驱动的布朗粒子输运现象, 建立了分数阶布朗马达输运模型. 其中外力是零均值的, 而分数阶阶数则刻画了客观环境的非均匀性程度. 通过将模型离散化进行数值模拟, 讨论了分数阶阶数、系统参量和外部参量与定向流之间的依赖关系. 研究表明, 即使没有倾斜势场的作用, 时间非对称外力也可以诱导系统产生定向输运; 输运速度随分数阶阶数的增大而单调递增; 当阶数固定时, 系统的输运速度会随着势垒高度、噪声强度非单调变化, 表现出广义随机共振现象. 分析指出, 分数阶郎之万方程所刻画的输运现象是在整数阶模型基础上的一个推广, 进而为输运现象提供了一个可能更为真实的模型. 相似文献