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911.
阐述了FAIR收集环二极超导磁体电流引线的基本原理,给出了电流引线的主要参数及初步设计方案,提出了使用复合材料和通过结构优化以减小电流引线的漏热,并根据电流引线的传热特性进行了漏热的分析和计算,实验结果验证了概念设计的可行性。 相似文献
912.
随着高可靠电子技术的发展,要求硅双极器件的电流增益HFE具有很低的正温度系数,发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正温度系数,结合发射区轻掺杂技术,我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构,获得了电性能优异的HFE超低温度系数的硅双极器件,HFE的125℃高温上升率和-55℃低温下降率小于20%,有些甚至小于10 相似文献
913.
用3维粒子模拟程序对超热电子在等离子体靶表面中向前传输时所激发的电流密度,电场和磁场的发展过程进行模拟研究。数值模拟表明,在线性强激光作用下,由于电子初始时刻的无规则热运动,在等离子体临界表面上激发不稳定性,而不稳定性随时间发展和激光功率的进一步深入到等离子体内部,最终使等离子体表面处激发饱和自生磁场,饱和自生磁场对激光有质动力推开电子时所形成的高能电子运动产生抑制作用.通过该研究寻找相对论效应条件下的自生磁场,并为进一步开拓其在高能离子束的应用提供理论和技术上的指导。 相似文献
914.
915.
916.
917.
918.
919.
本文在提出了用回路描述电路元件的拓扑结构以后,给出了具有受控源和多线圈耦合的平面网络网孔方程的直接建立算法。网络方程的个数等于网络的网孔数。本文方法得到的网络方程在此类网络中比改进节点法方程数少,与一般节点法相比,方程建立的过程简单明了,只需对各元件的拓扑结构和参数进行检索即可。 相似文献
920.
在本文作者之一的前文(1991)基础上,将尽可能多的耦合支路以及所有电流源支路选为连支,从而在不进行矩阵运算的情况下,可以根据网络的拓扑结构和元件参数直接建立含有全感割集多线圈耦合网络的以连支电流为待求量的回路电流方程。并用实例进行了说明。 相似文献