首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   114106篇
  免费   8272篇
  国内免费   12396篇
化学   70390篇
晶体学   1151篇
力学   2341篇
综合类   842篇
数学   12697篇
物理学   18944篇
无线电   28409篇
  2024年   222篇
  2023年   1031篇
  2022年   2010篇
  2021年   2211篇
  2020年   2679篇
  2019年   2603篇
  2018年   2426篇
  2017年   3584篇
  2016年   3607篇
  2015年   3570篇
  2014年   4545篇
  2013年   7905篇
  2012年   7794篇
  2011年   6943篇
  2010年   5573篇
  2009年   7169篇
  2008年   7525篇
  2007年   8031篇
  2006年   7411篇
  2005年   6311篇
  2004年   5749篇
  2003年   4711篇
  2002年   5667篇
  2001年   3410篇
  2000年   3058篇
  1999年   2809篇
  1998年   2487篇
  1997年   1989篇
  1996年   1704篇
  1995年   1634篇
  1994年   1398篇
  1993年   1127篇
  1992年   1038篇
  1991年   723篇
  1990年   583篇
  1989年   540篇
  1988年   392篇
  1987年   303篇
  1986年   283篇
  1985年   228篇
  1984年   241篇
  1983年   144篇
  1982年   212篇
  1981年   176篇
  1980年   197篇
  1979年   184篇
  1978年   169篇
  1977年   122篇
  1976年   109篇
  1973年   67篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 468 毫秒
101.
Optical packet assembly is a key function to support inter-working between TCP/IP networks and optical packet-switched networks. It is characterized by the assembly delay and by the segment aggregation needed to form an optical packet. These counter-balancing aspects depend on several environment variables, such as the TCP parameters, the access link speed, the optical packet size whose effects are studied in this paper. Performance evaluations are obtained by extensive simulations in terms of send rate of TCP flows, fairness, efficiency, and assembly delay. Some guidelines in the design of optical packets that take into account the results presented are given.  相似文献   
102.
随着更加精细的SMT、BGA等表面贴装技术的运用,化学沉镍金(ENIG)作为线路板最终表面处理得到了越来越广泛的应用,同时可怕的“黑盘”现象也随之更广泛地“流行”起来,直接导致贴装后元器件焊接点不规则接触不良。为了贯彻执行最好的流程控制和采取有效的预防措施,了解这种焊接失败的产生机理是非常重要的,及早的观测到可能发生“黑盘”现象的迹象变得同样关键。本文介绍了一种简单的预先探测ENIG镍层“黑盘”现象的测试方法-镍层耐硝酸腐蚀性测试,这种测试可以用于作为一种常规的测试方法监测一般化学沉镍溶液在有效使用寿命范围内新鲜沉积的镍层的质量。利用Weibull概率统计分析在不同的金属置换周期(MTO)下镍层的可靠性能表现。结合试验结果得出了一个镍层耐硝酸腐蚀性的判定标准。  相似文献   
103.
发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。  相似文献   
104.
本文提出了一种用于计算任意取向多个介质椭球电磁散射的混合方法.利用扩展边界条件(EBC)导出具有旋转轴对称单个椭球以球面波矢量函数为基底的T矩阵,结合球矢量波函数旋转定理和递推T矩阵方法,给出多个任意取向介质椭球的散射场.数值例子验证了该混合方法的计算精度和有效性.  相似文献   
105.
对铜在酸性CuCl_2溶液中蚀刻反应机理论述,利用氧化-还原电动势原理,详细论述了Ni80Cr20合金在酸性CuCl_2溶液中化学蚀刻反应机理,以及影响蚀刻速度的因素,并对溶液中金属离子的存在形式作了验证。  相似文献   
106.
Copper films with (1 1 1) texture are of crucial importance in integrated circuit interconnects. We have deposited strongly (1 1 1)-textured thin films of copper by atomic layer deposition (ALD) using [2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato] Cu(II), Cu(thd)2, as the precursor. The dependence of the microstructure of the films on ALD conditions, such as the number of ALD cycles and the deposition temperature was studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy. Analysis of (1 1 1)-textured films shows the presence of twin planes in the copper grains throughout the films. SEM shows a labyrinthine structure of highly connected, large grains developing as film thickness increases. This leads to low resistivity and suggests high resistance to electromigration.  相似文献   
107.
海杂波中基于混沌预测的目标检测方法改进   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
基于记忆库非线性预测的NP-CFAR方法是目前混沌海杂波背景中目标检测的一种典型而先进的方法.考虑到海杂波功率与特征的时变不稳定性,本文提出运用旋转超盒分类取代这一方法中的NP-CFAR进行目标检测,并探讨了运用盒维数特征提取进行预处理以节省运算开销的问题.仿真实验验证了本文所提改进方法的有效性.  相似文献   
108.
掺铒碲基光纤放大器最新研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
掺铒碲基光纤放大器(EDTFA)由于能同时在C L波段(1530-1610nm)或L波段(1580-1620nm)对光信号进行有效的放大,目前已成为通信领域内竞相开发的一种新型宽带光纤放大器,为此简单介绍了该放大器的研究历程,综述了其最新研究进展和应用情况。  相似文献   
109.
New tetradentatebis-benzimidazole ligands have been synthesized and utilized to prepare copper (II) complexes. Some of these copper (II) complexes have been characterized structurally. The copper (II) in these complexes is found to possess varying geometries. A distorted octahedral geometry is found with a highly unsymmetrical bidentate nitrate group. An unusual polymeric one-dimensional structure is observed where copper (II) is in a distorted square pyramidal geometry with a monodentate nitrate ion, having long Cu-O bond, while a distorted triagonal bipyramidal geometry is found with two carbonyl O atoms and a Cl atom in the equatorial plane, and two benzimidazole imine N atoms occupy the axial position. These compounds are found to activate the cumylperoxyl group, and this has been utilized in the facile oxidation of aromatic alcohols to aldehydes, where they act as catalysts with large turnovers. The yields of the respective products vary from 32 to 65%. The role of molecular oxygen has been studied and an attempt has been made to identify the “active copper species”. Activation of molecular oxygen has also been observed and has been used for oxidative dealkylation of a hindered phenol, producing di-butyl quinones with yields of 20–25% and 10–12 fold catalytic turnover. Dihydroxybenzenes and substituted catechols are also readily oxidized to the corresponding quinones, in oxygen-saturated solvents. Yields of 84% have been observed with 34-fold catalyst turnover, with di-t-butylcatechol. The activity of these copper (II) —bis-benzmidazolediamide compounds is reminiscent of the functioning of copper centres in galactose oxidase, tyrosinase and catechol oxidase.  相似文献   
110.
The feature scale planarization of the copper chemical mechanical planarization (CMP) process has been characterized for two copper processes using Hitachi 430-TU/Hitachi T605 and Cabot 5001/Arch Cu10K consumables. The first process is an example of an abrasive-free polish with a high-selectivity barrier slurry, while the second is an example of a conventional abrasive slurry with a low-selectivity barrier slurry. Copper fill planarization has been characterized for structures with conformal deposition as well as with bumps resulting from bottom-up fill. Dishing and erosion were characterized for several structures after clearing. The abrasive-free polish resulted in low sensitivity to overpolish and low saturation levels for dishing and erosion. Consequently, this demonstrated superior performance when compared to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2000 roadmap targets for planarization. While the conventional slurry could achieve the 0.13-μm technology node requirements, the abrasive-free polish met the planarization requirements beyond the 0.10-μm technology node.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号