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61.
自控液晶光阀组式光刻快门研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过理论推导,构建了抗蚀剂的感光特性、光源的光效与曝光量之间的数学模型,为液晶光阀代替穿孔带提供了理论依据.结合液晶光阀的工作原理和光刻快门的控制原理,对液晶光阀组的控制进行了研究并给出了其控制电路图.通过实际光刻试验,自控液晶光阀组光刻快门机构可以完成编码图案的控制,通光控制达到了预计要求,刻出的图案清晰,线条陡直.证明液晶光阀组替代穿孔带用作光刻快门是完全可行的. 相似文献
62.
在大部分半导体工艺中,温度都是最重要的工艺参数之一,炉温的均匀性和稳定度对工艺都有着至关重要的影响。主要介绍了LPCVD设备中的高精度串级温度控制系统,该系统结构简单,控制效果良好,温度稳定度≤±0.5℃/24h。 相似文献
63.
64.
65.
由1,10-邻菲咯啉合成1,10-邻菲咯啉-5,6-二酮反应的副产物的形成与控制研究表明,1,10-邻菲咯啉在5,6位二酮化反应中的副反应产物及主产物分离时产生的副产物均为4,5-二氮杂芴-9-酮,二酮化反应条件(包括作为氧化剂的强混合酸H2SO4/HNO3的加入量、时间和温度)和主产物分离时体系的酸度对副产物的形成有重要影响,优化了二酮化反应条件和产物分离时的体系pH控制范围。在此优化条件下,可有效控制副产物的形成,使主产物1,10-邻菲咯啉-5,6-二酮的收率达到92%以上。 相似文献
66.
YBO3:Eu荧光粉的水热法制备及形貌控制 总被引:5,自引:0,他引:5
用水热法在低于300℃成功地制备出具有不同形貌的YBO3:Eu3+荧光粉,其反应温度比固相反应了约800℃.研究了初始原料、pH值、反应温度、反应溶剂和催化剂等条件对目的产物形貌及粒度的,得到了具有Vaterite结构、粒度分布均匀的球形荧光粉的最佳合成工艺.在254nm激发下,水热法的球形Y0.95Eu0.05BO3荧光粉最强发射峰位于598nm处,属于Eu3+的5D0→7F1的跃迁,是固相反应所品的1.5倍.这些结果表明,在PDP和荧光灯等显示和照明用荧光粉的制备中水热法具有潜在的应用. 相似文献
67.
采用延迟反馈方法控制Genesio混沌系统,结果表明,延迟时间和控制强度的不同使得控制结果有较大的差异,控制方向的不同会影响控制实现的难易程度. 相似文献
68.
69.
一种基于FPGA的数字图像自动增益控制实现方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对图像对比度弱的情况,提出了一种基于FPGA的数字图像自动增益控制实现方法,较为详细地阐述了自动增益控制的基本工作原理,给出了相应的流程图和实际应用效果图。 相似文献
70.
1553B总线控制方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了MIL-STD-1553B总线协议,总结了总线控制设计的一些基本准则。同时针对不同系统和功能要求探讨了总线控制的一些常用方法。 相似文献