用单管落球法探讨蓖麻油粘度随温度的变化

从单管落球法出发,以测出蓖麻油粘度随温度变化的大量实验数据为基础,采用SPSS统计软件中线性回归与曲线拟合的方法,选择最佳统计模型,找到了两者之间的实验曲线及拟合方程.     

汽车电压调节器的性能可靠性计算机仿真

利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性.     

硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制

本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺.发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板.在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变.上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板.     

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.     

一种新型高精度CMOS电压基准源

在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,基于BSIM3V3模型,利用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明:当电源电压VDD=1.2 V时,其温度系数仅为28×10-6/℃.     

MATLAB在高低温仿真试验中的应用

利用MATLAB的S-函数与Simulink模块,编制高低温环境试验设备中的单部件仿真模块并链接为仿真系统,以此来对高低温环境试验进行数字仿真,并给出实例与对比分析.     

一个高精度低温漂的带隙基准源

文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结,重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上,采用低失调电压运算放大器,融合了熔丝烧写调整电压技术,提出了一个温漂低于15×10-6℃-1的改进型带隙基准源电路。整个电路采用CSMC0.5μm工艺设计,采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差,输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。     

BaCO3基低温共烧陶瓷基板工艺及性能分析

对用于封装的BaCO3基低温共烧陶瓷基板LTCC材料进行了研究,包括组分配制以及陶瓷制备工艺研究。对烧结后陶瓷的部分热性能以及力学性能进行了测试。结果表明:BaCO3基低温共烧陶瓷较为致密的密度在3.8～4.2g/cm3,在900℃烧结的陶瓷机械形变较小。     

准各向同性高电流密度导体弯曲特性研究

提出了一种准各向同性高工程电流密度高温超导导体的有限元模型,利用该有限元模型计算了导体在不同弯曲半径下的应变分布以及临界电流衰减程度,并对导体样品进行了弯曲实验.实验结果和仿真结果基本一致,基于该有限元模型进一步计算了导体的不同参数对弯曲半径的影响.该研究为准各向同性高工程电流密度高温超导导体在聚变磁体领域的应用提供了...     

地面目标红外特性及其隐身技术研究

随着红外搜索与制导技术的飞速发展,对于地面目标红外特征及其隐身技术的研究具有越来越重要的军事意义.在简化目标传热模型的基础之上,计算出目标的瞬时温度变化,并与背景的温度比较发现,目标与背景在一天之中均存在明显温差,最大温差可达10℃.从目标与背景的辐射对比度出发,分析了辐射对比度与目标表面发射率以及目标与背景温差的关系,发现了当目标与背景温差控制在±4℃之内时,采用固定发射率涂料可以使目标达到红外隐身的目的.