CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching?Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.     

面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程

用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明，失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错，即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成，两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致；外延晶体薄膜沉积生长中，位错对会发生滑移，但其间距保持稳定.进一步观察发现，该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱- 关键词： 失配位错 外延生长 薄膜 分子动力学 铝     

BaWO_4晶体的拉曼光谱分析

BaWO4晶体是一种很有应用前景的喇曼激光晶体。本文根据对称性分类,用商群理论分析了Ba-WO4晶体的喇曼光谱。一个原胞中含有两个BaWO4分子,理论上有36个振动膜,和我们用群论计算得数目一致。其中有18支拉曼活性光学膜。我们测得了10支拉曼峰,并对测得的各个配置的拉曼峰进行了指认,其中X(ZZ)X配置921cm-1处的喇曼峰强度最强,线宽较窄,对于作为喇曼激光晶体来讲是很有益的。     

摩擦强度对薄膜表面形态的作用:原子力显微镜下的观察

展示了摩擦强度对聚酰亚胺薄膜表面形态的影响，原子力显微图像显示，机械摩擦会使聚酰亚胺薄膜表面上形成微沟槽，这些沟槽的表面具有丰富的表面精细构造。原子显微图像还揭示了机械摩擦可以改变被磨擦聚酰亚胺膜的表面形态。     

双轴晶体主平面上倍频的相位匹配

从折射率椭球方程和折射率椭球面出发，讨论光束在双轴晶体中传播及偏振的特性、主平面倍频共线相位匹配（PM）问题，得到了双轴晶体主平面内激光所有可能PM倍频的8种偏振组合及其相应的PM角公式、有效非线性（NL）系数deff的一般表达式。结果表明：得到的公式简单，可大大简化PM参数计算及优化设计；折射率椭球面是单层曲面，比双层的折射率面简单；基于折射率椭球面寻找所有可能PM的类型、偏振组合的方法物理图像简明，易于理解，大大降低了双轴晶体PM问题分析的难度。     

两类方程亚纯解(n,1)级的上界估计

本文给出Riccati方程及另外一类具有代表性微分方程的亚纯解（n,1)级的上界估计，在一定条件下确立了文[2]中的猜测的正确性。     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

基于MATLAB(SIMULINK)的电弧炉电极调节系统FUZZY-PD控制器的仿真

介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊－－PD控制器，讨论了在SIMULINK环境下模糊－PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法，并给出仿真结果与结论。     

U：CaF2晶体的分凝特性与光谱性质

应用TGT法生长了直径为75mm的U：CaF2晶体，宏观上透明完整.应用公式K0=Cs/Cl计算了U在CaF2晶体中的分凝系数等于0.53.应用溶质分布一般公式Cs=K0C0(1-g)K0-1，计算U的浓度分布与测量值，数值符合说明晶体生长过程接近平衡状态.分析不同条件下生长的U: CaF2晶体的晶胞参数和吸收光谱，结果表明生长气氛决定U的价态及电荷补偿机理：无PbF2存在的条件下，U为+4价，晶体呈绿色；PbF2的加入起到氟化去氧作用，U倾向于以离子半径最接近于Ca2+的U3+存在，晶体呈红色.从晶体生长开始到结束的部位，U3+:CaF2晶体吸收光谱的峰位不变，峰强呈现与U浓度相同的增加趋势.U3+:CaF2晶体外层厚约5mm处呈黄色，含有U3+和U2+的混合价态离子，其原理是石墨坩埚的还原作用通过单质铅，使部分的U3+进一步还原成了U2+. 关键词： 铀 氟化钙晶体 分凝系数 晶胞参数     

Comparison of two models for managing reliability growth during product design

Relying on reliability growth testing to improve system designis neither usually effective nor efficient. Instead it is importantto design in reliability. This requires models to estimate reliabilitygrowth in the design that can be used to assess whether goalreliability will be achieved within the target timescale forthe design process. Many models have been developed for analysisof reliability growth on test, but there has been much lessattention given to reliability growth in design. This paperdescribes and compares two models: one motivated by the practicalengineering process; the other by extending the reasoning ofstatistical reliability growth modelling. Both models are referencedin the recently revised edition of international standard IEC61164. However, there has been no reported evaluation of theirproperties. Therefore, this paper explores the commonalitiesand differences between these models through an assessment oftheir logic and their application to an industrial example.Recommendations are given for the use of reliability growthmodels to aid management of the design process and to informproduct development.