一种具有双阻带特性的超宽带单极子天线设计

为克服无线通信中系统间的相互干扰,采用频带抑制技术设计了一种具有双阻带特性的超宽带单极子天线。首先采用共面波导进行馈电,辐射贴片和共面波导均为阶梯结构,使其在2.9～12GHz频带内电压驻波比小于2;其次在辐射贴片上分别引入C形和倒U形槽谐振结构,使其在3.3～3.9GHz和5.1～5.9GHz的频带内电压驻波比大于2;最后通过仿真与测量,验证该天线实现了良好的频带抑制功能。     

共面波导馈电的超宽带天线的研究

本文设计一种共面波导馈电的超宽带天线（UWB）,其阻抗带宽达到341%。所设计的天线印刷在尺寸为28×21×1.6mm3,介电常数为2.65的聚四氟乙烯介质基板上。并利用电磁仿真软件HFSS对影响天线性能的主要物理参数进行仿真、分析和优化,得到天线的理想尺寸。最后,对优化的超宽带天线进行制作,测试。实验结果表明,该天线比传统微带贴 片天线性能有了较大的提高,从而证明利用共面波导馈电的超宽带天线设计方法,能够实现兼容多种通信系统的可行性和有效性。     

3．1～17GHz的带阻超宽带单极天线

提出一种用于超宽带系统的小型化平面单极天线,采用共面波导馈电,其辐射贴片采用矩形与半椭圆形组合的结构,使其在3．1～17GHz的频带内驻波比〈2,同时引入开环谐振结构实现频带抑制,使其在5．1—5．9GHz的频带内驻波比〉2。仿真结果与实测结果匹配良好。     

Power performance and scalability study of AlGaAs/GaAs double-recessed pseudomorphic high electron mobility transistors on unthinned substrate for coplanar waveguide circuit applications

We have investigated the power performance and scalability of AlGaAs/GaAs Double-Recessed Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors (DR-PHEMTs) at 10 GHz on an unthinned GaAs substrate for CoPlanar Waveguide (CPW) circuit applications. It was found that the output power varied linearly with the logarithm of the device’s gate width ranging from 200 to 1000 μm. It increased at a rate of 0.01 dB/μm. That worked out to a doubling of output power (or 3 dB) for every 300 μm increase in the gate width. Gain decreased at a rate of about 0.005 dB/μm while PAE generally improved when the gate width was increased. As for DC measurement, the maximum transconductance of the device was about 375 mS/mm at V_G = −0.5 V and V_DS = 3 V. The gate-drain breakdown voltage (BV_GD) measured was −20 V, defined at I_G = −1 mA/mm. The microwave performance of the devices was measured on-wafer using a load-pull system at a bias of V_G = −0.5 V and V_DS = 8 V. For a device with a gate width of 1 mm, its saturated CW output power, gain and PAE value at 10 GHz was 27.5 dBm (0.55 W), 8 dB and 48%, respectively. At this same set of bias conditions, the value of f_t and f_max was 40 and 80 GHz, respectively.     

An Accurate and Fast Simulated Model of CPW Discontinuities

A space-domain integral equation (SDIE) which is solved using the method of moments is used to study the CPW discontinuities. And this paper attempts for the first time to use a fast, efficient computational method and leads to reasonable computation times. Good agreement has been found. The driving closed-form expressions and available models are useful in the design of coplanar circuits such as filters.     

一种新型宽带圆极化天线的分析与设计

本文设计了一种新型的在地板网孔对角开阶梯型结构的宽带圆极化天线,通过调节阶梯型结构的尺寸,可以改善天线的圆极化性能。在地板网孔的两个内角进行切角,可以进一步优化天线的3 dB轴比带宽。馈电结构采用了L型贴片结构,可以显著提高天线的阻抗匹配性能。仿真和测量的-10 dB回波损耗和3 dB轴比的综合带宽分别为71.4%和74.2%。最后就天线设计的几个关键结构对天线性能的影响进行了分析,并给出了天线回波损耗,轴比和增益的仿真和测试结果。     

一种小型开口环形共面波导超宽带天线

用于短距离高速无线通信的超宽带天线,不仅要有较小的尺寸,还要求较小回波损耗和良好的全向性.环形开口共面波导馈电结构可增大电流路径、实现天线的小型化,叉形主辐射单元渐变结构使天线在全频段内、特别是高频段向各方向均匀辐射.仿真结果表明,天线在3.1 GHz～10.9 GHz频带内回波损耗小于-10dB、驻波比小于2,H面方向图直到9.5 GHz仍近似为圆形.天线结构紧凑,是一种高性能的低剖面小型化超宽带天线.     

应用于WLAN的小型微带天线

为了满足手机无线局域网(WLAN)通信技术的要求,设计了一个三频段单极子贴片天线,通过2个L形支路产生双频辐射。并用软件对该天线进行仿真优化,实现了2.4 GHz、5.2 GHz和5.8 GHz三频段的同时工作,而且该天线结构简单,由L形贴片组合形成,体积小,所占面积为14.5 mm×16.5 mm。仿真结果表明,该天线的尺寸和性能可以在手机WLAN通信系统得到良好的应用     

小型化超宽阻带共面波导低通滤波器设计

为了解决传统CPW低通滤波器尺寸偏大、阻带较窄和插入损耗偏大的问题,采用 /4阶梯阻抗谐振单元（SIR）加载半圆形并联枝节（SISS）和缺陷地结构（DGS）单元的紧凑型结构设计了一个5阶CPW低通滤波器,分析了各单元结构参数对阻带性能的影响,引入微带线补偿方法对共面波导中心导体线特性阻抗进行局部补偿,改善了阻抗匹配性能,进一步降低了通带内的回波损耗和插入损耗。测试结果表明：该滤波器结构尺寸25mm×18mm,3dB截止频率3.5GHz,阻带范围3.8～17GHz。实现了CPW低通滤波器的低插入损耗、超宽阻带和小型化。     

Ka波段22dBm氮化镓单片集成放大器

设计了CPW式Ka波段氮化镓单片集成放大器,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了芯片的制备。据我们所知,这是国内首次报道的Ka波段氮化镓单片集成放大器。该单级集成放大器使用了一个栅长0.25μm,栅宽275μm的AlGaN/GaN HEMT。在Vds=10V连续波测试条件下,放大器的工作带宽为1.5GHz。其中在26.5GHz的线性增益为6.3dB,最大输出功率22dBm,最大附加效率9.5%。该MMIC所使用的AlGaN/GaN HEMT在Ka波段、Vds=10V条件下的输出功率密度达到1W/mm。