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111.
碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路的发展 总被引:1,自引:1,他引:0
通过对近年来的部分文献资料进行归纳分析,介绍了碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路(ROIC)的发展动态.讨论了读出电路的有关概念.列出了部分前放电路的单元结构,并分析了它们的工作特点.介绍了积分时间、积分电容以及多路传输等因素对读出电路设计的影响. 相似文献
112.
为了避免早期无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的一些缺陷,如:"串扰"和"交叉"效应以及电路连接比较复杂,用两种方法实现了基于飞利浦公司生产的LPC2210控制芯片和晶门科技公司的SSD1339驱动芯片的驱动控制电路。首先介绍了有机电致发光器件的结构和发光原理以及芯片SSD1339和LPC2210的主要的特点;分析和比较了SSD1339的8080系列并行口和LPC2210外部存储控制单元的读写时序;分别利用LPC2210的通用输入输出单元和外部存储控制单元,成功的控制SSD1339驱动128RGB×128点阵有机电致发光屏。实验结果表明:两种方法不仅可以有效地克服早期驱动控制电路的缺陷,而且可以使有机电致发光屏显示出高质量的图片;用外部存储控制单元实现的驱动控制电路,可以实现约80 Hz的驱动帧频;而使用通用输入输出单元实现的驱动控制电路,可以单步跟踪数据的传输,因此它具有方便查错的优势。本次实验为在不同的集成环境下无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的设计奠定基础。 相似文献
113.
将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V~25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。 相似文献
114.
使用0.18μm CMOS工艺设计应用于802.11a WLAN的U-NII高频段5.7GHz的LNA.首先选取LNA结构,推导出噪声模型,然后选取在固定功率消耗下最小噪声系数对应的晶体管尺寸,再进行输入输出阻抗匹配和电路调整优化.在使用Bond Wire不加Pad时提供-22.014dB S11,-44.902dB S22,15.063dB S21,-39.44dB S12,2.453dB/2.592dB的噪声系数(NF),-4.1915dBm的三阶互调输入点(IIP3),-15.6dBm的功率1dB压缩点(P1dB)和10mW的功率消耗(Pd).完全考虑Bond Wire和Pad效应的性能参数也已经给出,但噪声系数恶化为3.21/3.23dB,S参数在电路调整优化之后变化不大,整体性能比较突出. 相似文献
115.
116.
以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB. 相似文献
117.
118.
119.
文章设计了一种低压、恒定增益、Rail-to-rail的CMOS运算放大器。该放大器采用直接交迭工作区的互补并联输入对作为输入级,在2V单电源下,负载电容为25pF时,静态功耗为0.9mW,直流开环增益、单位增益带宽、相位裕度分别为74dB、2.7MHz、60°。 相似文献
120.