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1.
曾秋云 《电子科技》2015,28(4):116-119
基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。  相似文献   
2.
《Microelectronics Journal》2015,46(11):1012-1019
This paper presents a voltage reference generator architecture and two different realizations of it that have been fabricated within a standard 0.18 μm CMOS technology. The architecture takes the advantage of utilizing a sampled-data amplifier (SDA) to optimize the power consumption. The circuits achieve output voltages on the order of 190 mV with temperature coefficients of 43 ppm/°C and 52.5 ppm/°C over the temperature range of 0 to 120°C without any trimming with a 0.8 V single supply. The power consumptions of the circuits are less then 500 nW while occupying an area of 0.2 mm2 and 0.08 mm2, respectively.  相似文献   
3.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
倪昊  徐元森 《半导体学报》2003,24(5):466-471
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.  相似文献   
4.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
5.
采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.  相似文献   
6.
7.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
8.
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性   总被引:1,自引:1,他引:0  
在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.  相似文献   
9.
Handshake circuits form a special class of asynchronous circuits that has enabled the industrial exploitation of the asynchronous potential such as low power, low electromagnetic emission, and increased cryptographic security. In this paper we present a test solution for handshake circuits that brings synchronous test-quality to asynchronous circuits. We add a synchronous mode of operation to handshake circuits that allows full controllability and observability during test. This technique is demonstrated on some industrial examples and gives over 99% stuck-at fault coverage, using test-pattern generators developed for synchronous circuits. The paper describes how such a full-scan mode can be achieved, including an approach to minimize the number of dummy latches in case latches are used in the data path of the handshake circuit.  相似文献   
10.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
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