多谐波失真模型应用研究

基于非线性大信号散射函数理论,对一种用来线性化散射函数的新方法进行了研究.另外,在弱非线性条件下,与相位归一化和线性化技术相结合,分析了极坐标系下线性化表达式的各部分功能,并预测了输出散射波所应该具有的特性.最后,利用实际HEMT晶体管的测量数据说明了应用多谐波失真模型对精确分析非线性器件的重要意义.     

DTV发射机75 W射频功放模块的设计与实现

提出了一种用于数字电视发射机中的大功率射频功放模块的设计方案,采用平衡型放大器结构,以LDMOS器件作为功放管,给出了包括射频放大电路和直流馈电电路的实现方法,并提供了对系统增益及线性度等指标的仿真和测试结果.     

基于MSP430单片机的实用射频卡读卡电路设计

以射频识别技术的实际应用为背景,采用低功耗RF射频感应式收发模块MTP-K4,结合低功耗FLASH型16位RISC指令集MSP430单片机,设计一个射频卡读卡电路。给出各部分的硬件电路设计原理图,描述各个功能的实现方法,同时给出部分程序代码。采用本电路设计的门禁系统保密性强,并具有远程监控的特点。     

两个低开销抗单粒子翻转锁存器

提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成。提出的结构通过标准的0.18μm工艺设计实现并仿真。仿真结果表明两个电路都是SEU免疫的,而且都要比常规非加固的锁存器节省功耗。和传统的锁存电路相比,SEUT-A只多用了11%的器件数和6%的传输延时,而SEUT-B多用了56%的器件数,但获得了比传统电路快43%的速度。     

0.35μm CMOS 2.5Gb/s宽动态范围前置放大器设计

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺设计了一种适用于光纤传输系统STM-16(2.5Gb/s)速率级的低功耗、宽动态范围的前置放大器.该前置放大器采用RGC(Regulated Cascode)结构作为输入级,同时引入消直流电路来提高光电流的过载能力.仿真结果表明,前置放大器的跨阻增益为57.0dBΩ,-3dB带宽为2.003GHz;当误码率BER为10~(-12)时,输入灵敏度为-23.0dBm,过载光电流达到800 μ A.3.3V单电源供电时,功耗仅为59.43mW.芯片面积为465 μm × 435 μm.     

CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路

基于CSMC0．5umCMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路,利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电,提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的电压稳定性高,功耗低,且其滞回功能能有效抑制噪声。与普通的旁路电压控制电路相比,具有更高的稳定性和抗噪声能力,可广泛用于各种功率放大器内部。     

移动通信系统中的波束转换智能天线设计

提出了在现有GSM移动通信系统中蜂窝基站采用波束转换智能天线的设计方案,对天线系统各组成部分如天线模块、收发射频模块、射频交换矩阵模块、高速扫描接收机等功能、作用、信号关系、设计要点作了探讨。若将各相邻小区配置波束转换智能天线,可有效提高网络的载噪比。     

射频CO2激光器电源激励功率与频率关系的研究

以气体放电理论为基础,利用简化模型推导出射频激励CO2激光器气体放电击穿电压的数学关系式,指出影响激光气体放电击穿的几个物理参量。并通过实验测定了引起气体击穿时所需的注入功率与频率之间的关系。理论结果与相关试验测试结果符合一致。     

用单端矢量网络分析仪测试手机RF电路的差分散射参数

本文以声表的测试为例,说明了采用单端矢量网络分析仪测试手机射频(RF)电路的差分散射参数的原理及方法,其中包含物理三端口的散射参数和模式三端口网络散射参数。     

深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电，以及电迁移等失效机理，已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中，热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有：晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研完，提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。