MPLS VPN在新闻制作系统网络中的应用

新闻制作的实际业务对网络架构有特殊的要求。为实现合理的隔离和开放，杭州电视台采用MPLS VPN技术搭建了安全高性能的新闻制作网，本文介绍了MPLS的工作原理及MPLS VPN技术，基于MPLS VPN技术设计新型架构新闻制作系统，包括系统结构、新闻制作网络VPN设计，实现功能等。     

光传送网中光开关器件的进展

随着波分复用技术的广泛应用和光联网的发展,光开关将成为组建未来光网络的关键器件。光开关的类型有光微电机械开关、马赫-曾德干涉仪型开关、热光效应光开关、液晶光开关、喷墨气泡光开关、光栅开关和声光开关等。文章概述了这些光开关的原理,并进而介绍了光开关器件的最新进展。     

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

下一代光网络选路策略研究

简述了下一代光网络选路的基本问题;综述了有关方面近年来的研究状况,包括支持优先级的选路及波长分配(RWA)算法、IP业务在光网络中的选路策略及业务量疏导问题.根据各种方法的性能和实际网络建设优化的需要,指出了下一代光网络选路策略领域还需进一步研究的问题.     

压电换能器匹配电路的设计

介绍了压电换能器的电匹配原理以及匹配参数的测定方法。重点介绍了压电陶瓷换能器与D类功率放大器之间的匹配电路的设计及匹配变压器的设计计算。     

半导体器件热特性的电学法测量与分析

利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性．     

Analysis of Power Consumption on Laser Solder Joints of Electric Connector

Laser soldering process was introduced in Universal serial bus （USB） 2.0 electric connector to improve the mechanical and electrical bonding reliabil- ity. While, the effects of laser soldering technology on electric connector solder joints need to be estimated com- pletely, especially on power consumption. The combined method based on numerical simulation and the Accelerated temperature experiment （ATE） was developed to analyze the power consumption of USB 2.0 electric connector in this paper. The ATE contains thermal cycle and thermal shock tests, and the four-electrode method is used to ob- tain the conductivity of solder joints. Numerical modeling and analysis was used to quantify the power consumption and optimize the geometry of solder joints, because the electric experimental measurements of power consumption during ATE are time-costing and often intractable. Accurate knowledge of the power consumption is a prerequisite for the reliability of the electric connector.     

放电激励产生单重态氧的实验研究

对射频放电产生单重态氧进行了实验研究,在不同掺杂物种、不同电极间距、不同稀释配比的情况下,研究了单重态氧相对产率的变化规律,分析了单位氧流量注入能量对单重态氧产率和电效率的影响。实验表明,NO和Hg蒸气的加入,使放电产生单重态氧的相对产率都有显著的提高。随着电极间距的缩小,可以实现高气压工作,放电总压可以达到22.6 kPa,氧气分压超过了4.0 kPa,产率方面也有大幅度提高。单位氧流量注入能量在150~400 J/mmol时,单重态氧产率比较高;电效率较高的区域对应的单位氧流量注入能量在150 J/mmol左右。     

论新时期OSPF路由协议故障分析

OSPF,是一种开放式的,以最短路径优先为连接协议原则的内部网关协议.在单一自治系统的内部决策路由环境里,连接状态路由协议的实现可以运作于整个的系统内部.根据OSPF的工作机制,对于开放最短路由优先协议的支持,结合IP子网和外部路由信息的引入,可以提供很好的发送和信息接收方式.支持OSPF协议的路由器维护者描述自制系统拓扑结构的数据库,路由器往往是描述本地状态信息,在多址访问的网络过程中,网络链路状态的广播必须要使用指定的路由器传播,如果区域内路由器的连接信号发生故障,那么就可能建立不成功,无法交换信息.本文希望论述基于OSPF协议的路由链接故障产生原因,并且简述一般的解决办法.     

GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试

介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。