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21.
掺Eu3+硅基材料的发光性质   总被引:9,自引:5,他引:4  
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。  相似文献   
22.
优质的纳米前驱体是生成良好透明陶瓷的关键。采用Sol-gel法制得颗粒均匀、粒度小、无团聚、分散性好的Nd:GGG激光陶瓷前驱粉体。对透明陶瓷前驱体进行测试XRD分析,与标准JCPDS卡片对比表明样品属于立方晶系,空间群Ia3d,晶格常数为:A=123.7nm。粉体的最佳烧成温度为1000℃,煅烧时间8h。SEM观察发现,样品纯度高、单分散、颗粒均匀且近似球形,符合制备透明陶瓷的粉体要求。  相似文献   
23.
采用溶胶-凝胶法在较低温度下合成了红色发光材料Ca0.8Zn0.2TiO3:0.002Pr3 ,xGd3 .金属离子预先溶解含有柠檬酸的乙二醇溶液中.XRD表明在800℃灼烧2h形成了钛酸盐的晶体.荧光检测结果表明所合成样品的特征激发峰为330nm、特征发射峰为614nm,分别对应于O(2p)→Ti(3d)带间跃迁和Pr3 的1D2→3H4的特征发射.样品的发光强度随x的不同而不同,发光强度增强了29%-69%.当x=0.0005时,即nPr3 :nGd3 =4∶1时样品的红色发光强度最强,发光强度增强了69%.  相似文献   
24.
溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究   总被引:14,自引:0,他引:14       下载免费PDF全文
利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键 关键词: 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性  相似文献   
25.
We propose an irreversible binary coagulation model with a constant-reaction-number kernel, in which, among all the possible binary coagulation reactions, only p reactions are permitted to take place at every time. By means of the generalized rate equation we investigate the kinetic behaviour of the system with the reaction rate kernel K(i;j) = (ij)^w (0 ≤w〈1/2), at which an i-mer and a j-mer coagulate together to form a large one. It is found that for such a system there always exists a gelation transition at a finte time to, which is in contrast to the ordinary binary coagulation with the same rate kernel. Moreover, the pre-gelation behaviour of the cluster size distribution near the gelation point falls in a scaling regime and the typical cluster size grows as (to - t)-1/(1-2w). On the other hand, our model can also provide some predictions for the evolution of the cluster distribution in multicomponent complex networks.  相似文献   
26.
采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料.为了增加薄膜与硅片的粘附作用,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为150nm的SiO2,然后使用提拉法在硅片上提拉成膜,薄膜厚度达到3.6μm.研究发现紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.样品的原子力显微镜照片表明薄膜的表面非常平整,在5μm×5μm的范围内表面起伏只有0.657nm.利用波导阵列掩膜版,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.  相似文献   
27.
Y3Al5O12:Eu^3+磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
以金属烷氧基化合物为原料.采用溶胶-凝胶法在1000℃下合成了Eu^3 掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG-DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明,YAG:Eu^3 的晶相形成温度为991℃。Eu^3 在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu^3 含量和烧结温度对Eu^3 的^5D0→^7F1和^5D0→^7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu^3 浓度的增加,Eu^3 发射峰强度增强。  相似文献   
28.
介绍一种独特的超大容量电容器。主要用于大电流脉冲放电和需要较短的电源维持时间的场合。提供主要的技术参数及其测试方法,并举例说明在移动通信中的具体应用。  相似文献   
29.
采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。  相似文献   
30.
使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol—Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO2减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果。分析了Sol—Gel方法中溶胶浓度、陈化时间以及退火温度对薄膜透过率的影响。当溶胶浓度为0.4M、陈化时间为6天以及退火温度达450℃时,制得的样品透过率可达99.3%,采用红外光谱分析了SiO2溶胶及凝胶的结构变化过程,发现随着陈化时间和退火温度增加,Si—O—Si键增强。  相似文献   
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