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51.
从理论上分析了激磁电感对直线变压器驱动源输出脉冲波形顶降的影响,使用Pspice软件对理论计算结果进行了模拟验证。理论计算和模拟分析的结果均表明:激磁电感越小,输出脉冲波形的顶降越明显。设计了50 A的偏磁电路并进行了实验,在重复频率为20 Hz时直线变压器驱动源工作稳定,输出脉冲波形前沿约35 ns,平顶约130 ns,幅值约125 kV。与未加偏磁电路的实验结果相比,顶降明显减小(小于5%),实验结果与理论计算和模拟分析结果基本一致。 相似文献
52.
A fully integrated high linearity differential power amplifier driver with an on-chip transformer in a standard 0.13-μm CMOS process for W-CDMA application is presented.The transformer not only accomplishes output impedance matching,but also acts as a balun for converting differential signals to single-ended ones.Under a supply voltage of 3.3 V,the measured maximum power is larger than 17 dBm with a peak power efficiency of 21%.The output power at the 1-dB compression point and the power gain are 12.7 dBm and 13.2 dB,respectively. The die size is 0.91×1.12 mm~2. 相似文献
53.
提出一种在FPGANiosⅡ软核处理器下SD卡驱动设计的方法。采用Altera公司的FPGA可编程逻辑器件.构建了NiosH软核处理器平台,并在此之上实现了SD卡的驱动设计。实验结果表明:设计提高了FPGA系统的设计灵活度,并有效地控制了FPGA的资源利用率。 相似文献
54.
55.
56.
介绍一种在嵌入式Linux环境下实现USB摄像头驱动的方法,它采用具有USB Host协议的接口芯片ISP1161,通过分析Linux设备驱动原理以及ISP1161和USB摄像头芯片组工作机制,实现了USB摄像头的嵌入式Linux设备驱动,并在基于IntelXscale PXA255的Sitsang平台上实现了基于USB等时传输模式的图像数据采集. 相似文献
57.
58.
超短脉冲激光调制系统包括腔倒空驱动器、匹配网络和声光换能器。研制的激光脉冲调制系统运用锁相技术,采用单片、集成锁相环代替分立元件,实现了片内鉴频和鉴相,解决了高频信号传输的难题。研制的腔倒空驱动器能输出4 MHz、800 kHz、400 kHz、80 kHz、40 kHz、800 Hz、400 Hz等不同重复频率的脉冲信号,输出功率达到瓦级,满足了声光布喇格池的要求。匹配网络的加入使声光换能器充分吸收腔倒空驱动器输出的功率,增加衍射效率。激光脉冲调制系统已应用在皮秒时间相关单光子计数光谱仪系统中,在实际应用中取得了理想的效果。 相似文献
59.
详细介绍了一种新型的适用于高压IGBT的驱动模块的内部结构和工作特点.SKYPERTM32驱动模块工作频率高,驱动电流大,具有完善的短路保护及短脉冲抑制功能。并介绍了该模块在基于飞轮储能系统的动态电压恢复器中的应用。结果表明,SKYPERTM32是性能优良的新型IGBT驱动模块。 相似文献
60.
A fully integrated CMOS differential power amplifier driver(PAD) is proposed for WiMAX applications. In order to fulfill the differential application requirements,a transmission line transformer is used as the output matching network.A differential inductance constitutes an inter-stage matching network.Meanwhile,an on chip balun realizes input matching as well as single-end to differential conversion.The PAD is fabricated in a 0.13μm RFCMOS process.The chip size is 1.1×1.1 mm~2 with all of the matching network integrated on chip. The saturated power is around 10 dBm and power gain is about 12 dB. 相似文献