全文获取类型
收费全文 | 3278篇 |
免费 | 509篇 |
国内免费 | 111篇 |
专业分类
化学 | 458篇 |
晶体学 | 23篇 |
力学 | 69篇 |
综合类 | 11篇 |
数学 | 355篇 |
物理学 | 762篇 |
无线电 | 2220篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 45篇 |
2022年 | 52篇 |
2021年 | 91篇 |
2020年 | 83篇 |
2019年 | 106篇 |
2018年 | 74篇 |
2017年 | 119篇 |
2016年 | 142篇 |
2015年 | 119篇 |
2014年 | 229篇 |
2013年 | 291篇 |
2012年 | 220篇 |
2011年 | 236篇 |
2010年 | 168篇 |
2009年 | 170篇 |
2008年 | 187篇 |
2007年 | 168篇 |
2006年 | 180篇 |
2005年 | 169篇 |
2004年 | 149篇 |
2003年 | 135篇 |
2002年 | 112篇 |
2001年 | 117篇 |
2000年 | 92篇 |
1999年 | 54篇 |
1998年 | 48篇 |
1997年 | 47篇 |
1996年 | 53篇 |
1995年 | 50篇 |
1994年 | 42篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 17篇 |
1989年 | 14篇 |
1988年 | 18篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 2篇 |
1977年 | 1篇 |
1975年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
排序方式: 共有3898条查询结果,搜索用时 0 毫秒
141.
142.
143.
随着现代高速数字电路的快速发展,同步开关噪声(SSN)问题变得越来越突出。该文提出了一种适用于高速数字电路中抑制同步开关噪声的新型宽带平面电磁带隙(EBG)结构,并用Ansoft HFSS软件对该电磁带隙结构进行数据仿真分析。仿真结果表明,在抑制深度为-30dB时,其阻带范围为0.2~5.6 GHz,与传统的L-bridge型电磁带隙结构比较,阻带下限截止频率下降了500 MHz,阻带带宽增加了1.4GHz,相对带宽增加了38.1%,且能全向抑制同步开关噪声。 相似文献
144.
半导体激光器(LD)的驱动电路要求能够提供充足的载流子,且工作状态要稳定.从半导体物理学理论出发,分析了半导体激光器在恒流和稳压2种状态下,结电压、结电流和结温三者的关系.并以此为理论基础,进行了半导体激光器在双路跟踪电源恒流模式和开关电源LT1912驱动下的实验.实验结果表明,开关稳压电源驱动半导体激光器正常工作的核心条件是能够提供充足的载流子,即开关电源要具备低电压高功率的输出特性.开关稳压电源驱动半导体激光器的优点在于电路设计简单,不用考虑过流保护和过压保护电路,且半导体激光器的工作状态也很稳定. 相似文献
145.
146.
147.
Haitao Liu Qilin Hua Ruomeng Yu Yuchao Yang Taiping Zhang Yingjiu Zhang Caofeng Pan 《Advanced functional materials》2016,26(29):5307-5314
Bamboo‐like gallium nitride (GaN) microwires are synthesized via chemical vapor deposition (CVD) to fabricate piezotronic memristors. Defect boundary areas (DBAs) near the bamboo knots produce apparent switching between high and low resistance states upon sweeping of the magnitudes of the biased voltages across the GaN microwire‐based devices at room temperature. Furthermore, by coupling the piezoelectric and semiconducting properties in the GaN microwire, the piezotronic effect is introduced to effectively modulate the SET voltages via strain‐induced piezoelectric polarizations created at the DBA interface upon mechanical deformation. The experimental results indicate that the device remembered the most recent resistance states when the power is turned off, and the waveform is tunable because of the delayed switching effect. This work provides an alternative approach to the design and modification of memristors based on nanostructured piezoelectric semiconductors using the piezotronic effect. 相似文献
148.
149.
章乎先对智能大厦通信自动化交换网络的组成作了论述;然后主要介绍了ATM网络系统的相关技术及其应用。 相似文献
150.