硅微波功率晶体管镇流电阻的设计

从热稳定条件出发，对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析，讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施，器件应用显示出了良好的结果，最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。     

厚膜电阻的大范围连续可调设计

介绍了厚膜电阻微调系数和大范围连续可调的基本概念,指出常规厚膜电阻微调系数不超过2,采用帽状电阻可以在一定程度上提高微调系数,但由于受到电阻尺寸的限制,仍不能满足10倍以上的大范围连续可调要求。文中探讨了利用串并联微调来设计大范围连续可调电阻的可行性及基本方法。与单个电阻相比,电阻的串并联微调结构对微调系数具有明显的放大作用,从而使大范围连续可调的实现成为可能。当微调系数超过10时,可通过两个帽状电阻的串并联来实现大范围连续可调,三个矩形电阻的串并联结构可使阻值连续可调范围达30倍以上．     

微波电路用共面电极TaNx薄膜片式电阻器

采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNx电阻薄膜,其共面电极的电阻器使用频率上限大于20GHz。     

电阻阵列非均匀性校正算法实时性研究

非均匀性是电阻阵列输出图像固定噪声的主要来源,非均匀性校正是电阻阵列应用于半实物仿真中图像实时生成的一个不可缺少的环节.通过对校正算法的分析,设计算法实时性测试系统,并对校正在线算法进行改进,满足200Hz的帧频要求.在两种硬件平台方案下对算法的实时性进行测试,测试结果说明:非均匀性校正算法是影响动态红外图像生成实时性的一个重要因素,采用专用的硬件计算设备是提高整个系统实时性的必然选择.     

AlGaN/GaN HEMT 小信号模型提取方法的改进

The accurate extraction of AlGaN/GaN HEMT small-signal models, which is an important step in largesignal modeling, can exactly reflect the microwave performance of the physical structure of the device. A new method of extracting the parasitic elements is presented, and an open dummy structure is introduced to obtain the parasitic capacitances. With a Schottky resistor in the gate, a new method is developed to extract Rg. In order to characterize the changes of the depletion region under various drain voltages, the drain delay factor is involved in the output conductance of the device. Compared to the traditional method, the fitting of S 11 and S 22 is improved, and fT and fmax can be better predicted. The validity of the proposed method is verified with excellent correlation between the measured and simulated S-parameters in the range of 0.1 to 26.1 GHz.     

Evaluation of 1/f Noise Characteristics for Si‐Based Infrared Detection Materials

Silicon antimony films are studied as resistors for uncooled microbolometers. We present the fabrication of silicon films and their alloy films using sputtering and plasma‐enhanced chemical vapor deposition. The sputtered silicon antimony films show a low 1/f noise level compared to plasma‐enhanced chemical vapor deposition (PECVD)‐deposited amorphous silicon due to their very fine nanostructure. Material parameter K is controlled using the sputtering conditions to obtain a low 1/f noise. The calculation for specific detectivity assuming similar properties of silicon antimony and PECVD amorphous silicon shows that silicon antimony film demonstrates an outstanding value compared with PECVD Si film.     

RXF21型抗电涌线绕电阻器及其应用

线绕电阻器广泛用于电子节能灯和充电器等产品,本文介绍了一种新型RXF21型抗电涌线绕电阻器的应用方法.重点论述线绕电阻器耐负荷和负载短路保护功能以及抗电涌冲击性能.     

用于制造微波多芯片组件的LTCC技术

低温共烧陶瓷(LTCC)是实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想的组装技术,具有高集成密度、多种电路功能和高可靠性等技术优势.介绍了国内外应用于微波组件的LTCC技术发展现状,概述了LTCC的制造工艺流程,分析了其关键工艺难点,对LTCC基板电路的设计进行了详细阐述,并讨论了埋层电阻的设计和微带线和带状线间的垂直微波互联的方式.利用LTCC技术研制的微波多芯片组件,在现代雷达和通讯领域具有广泛的应用前景.     

PLC对温度数据的采集与控制

工控现场常遇到对温度的监控,而对温度数据的采集和控制是解决问题的关键。通常工控现场使用PLC(可编程序控制器)作为系统的控制核心,温度变量经温度传感器(热电偶或热电阻)采集后,送入PLC的特殊功能单元——温度模块(变送器 模数转换),温度模块对采集到的温度模拟量数据(电压或电流)自动进行模数(A/D)变换,最后转变为PLC可读的数字量(16进制数,以二进制数存放),通过对PLC编程可实现对读入的温度数据进行单位转换和数模(D/A)转换,根据工业现场需要,编制相应的PLC处理程序,可对温度进行开环或闭环控制及实现温度对其他设备的跟随控制。     

电阻加载环形谐振器在微带均衡器中的应用

文中提出了一种薄膜电阻加载的微带环形谐振器,并用其设计了一种新型均衡器子机构。研究表明:通过电阻加载的环形谐振器不仅具有中心频率和衰减幅度调节功能,而且能够对电路的品质因数进行调节,为均衡器的设计提供了极大的方便。最后给出了利用这种形环谐振器设计的均衡器的典型曲线。