用于流水线ADC的高精度SHA-Less电路

本文提出了一种适用于高速、高精度流水线ADC的无采样保持运算放大器(SHA-less)结构。使用可变电阻带宽修调电路以及MDAC与flash ADC的对称性设计,减少了两种单元电路间的采样误差,通过增加MDAC采样电容复位时钟和独立的flash ADC采样电容技术,消除了采样电容残留电荷引起的踢回噪声。本设计作为14位125-MS/s流水线ADC的前端转换级,基于ASMC 0.35- BiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,前端转换级芯片面积1.4?2.9 mm2,使用带宽修调后,125 MHz采样,30.8 MHz输入信号下,SNR从63.8 dB提高到70.6 dB,SFDR从72.5 dB提高到81.3 dB,转换器的动态性能在150 MHz的输入信号频率下无明显下降。     

ETTH:利用有线电视同轴电缆网构建同轴宽带EPON到家的NGB网络(上)

1引言在三网融合的大趋势下,电信、电力等非广电行业借助EPON技术,采用FTTH(Fiber To The Home)架构,实现了越来越宽的双向数据接入。在工业和信息化部、国家发展改革委、科技部等七部委联合印发的《关于推进光纤宽带网络建设的意见》中提出,到     

As2S3-CdI2系统玻璃的微结构与热属性

运用传统的熔融淬冷技术成功地制备出了均匀的玻璃样品(1-x)As2S3-xCdI2(x=0．015，0．035，0．050)。对样品进行了X线衍射和热综合分析以及拉曼散射等测试。随着CdI2含量的添加，样品系统玻璃的热属性基本上没有变化。基于实验结果，被研究玻璃系统的微结构被认为是：离散的AsS3分子和Cd-S原子键或原子簇均匀地分散在由硫桥连接的[AsS3／2]单元组成的玻璃网络中。     

关于武汉电信EV-DO Rev.B建设的探讨

文章从EV-DO入手介绍了 EV-DO Rev.B的概况,对引进EV -DO Rev.B的策略进行了详细分析,包括升级步骤、升级面临的问题及边界部署难点、最后以武汉电信的CDMA网络为例,给出了 EV-DO Rev.B建设方案,并对2个方案作了比较.     

基于模糊控制的清水池水位控制系统设计

清水池水位控制具有时变、滞后、突发性强等特点,难以准确建立合适的数学模型,为了达到快速维持清水池水位在期望值,避免所有水泵同时启停的目的,提出了一种清水池水位模糊控制的方法,该方法借助于MATLAB软件对控制系统进行了仿真,验证了模糊控制算法在清水池水位控制系统中应用的合理性,并计算出模糊输出控制量表,为确定水泵启停台数提供指导。采用了S7-200 PLC控制器和MCGS组态软件实现了清水池模糊控制系统的程序设计,给出相应的模糊控制PLC程序,并应用于清水池水位控制系统中。结果表明,系统稳定性好,响应速度快,能够较好的满足控制要求。系统将模糊控制理论与实际控制相结合,满足了清水池水位控制的要求,延长了水泵使用寿命,节省电能,为清水池水位自动控制提供借鉴。     

液体表面张力现象的P B L教学设计

P B L教学是以问题为导向、 以学生为中心、 以教师为主导的教学方法. 本文以液体的表面张力现象教学 内容为例, 进行了P B L教法的问题设计及教学, 收到了很好的教学效果     

铝-钨丝混编阵的Z-箍缩实验研究

利用铝丝和钨丝混合编制的丝阵作为Z箍缩的负载，在俄罗斯Kurchatov研究所的S300强流装置上对其Z箍缩过程进行了实验研究，并与纯铝丝阵和纯钨丝阵的实验结果进行了比较.不同材料组成的丝阵的Z箍缩x射线能谱之间有明显差异，混编丝阵的铝K壳层的x射线辐射强度比纯铝丝阵的弱，在纯钨丝阵Z箍缩中没有发现波长小于1.6nm的线辐射.混编丝阵Z箍缩的x射线发光区域比纯铝丝阵的小，但比纯钨丝阵的大,混编丝阵的x射线产额比纯铝丝阵的大，但比纯钨丝阵的略低.在驱动电流为2.5—2.8MA条件下，Z箍缩的径向收缩比为4—5，x射线辐射脉冲脉宽为25ns左右，峰值为0.3—0.5TW，总能量为10—20kJ.激光探针的阴影像显示了丝阵等离子体形成的细致过程，还表明了等离子体的边界面不够清晰，其不稳定性有明显的发展，内部有丰富的结构. 关键词： Z箍缩 混编丝阵 S300强流装置     

一种基于新型查表方法的统一计算设备架构并行计算全息算法

为解决点源法计算全息速度较慢的问题,提出了一种新的查表算法,命名为三角函数查表法(T-LUT算法)。该算法是基于点源法基本的数学公式,通过一系列数学近似与恒等变换,生成了一种纯相位查找表,该查找表具有三维特性,并具有生成速度快、精度高、占用内存少等特点,克服了点源法重复计算相位的缺点。同时采用统一计算设备架构(CUDA)并行计算在图形处理器(GPU)上加以实现,并进行了三次并行优化。在算法的验证与对比实验中,采用单显卡(GPU显卡)实现T-LUT算法,在不牺牲全息图再现像质量的前提下,成功地将点源法计算全息的速度大幅度提升。实验发现在不同的物空间采样点数量的情况下,速度相对于点源法GPU运算提升30倍至近千倍不等。     

S3解离中的非绝热过程

采用量子力学从头计算方法研究了硫的三聚物S_３低激发态解离过程.构造了S_３分子的解离极限.对态态间跃迁极矩的计算表明，在势能曲面的交叉区域态态间存在相互转换的非绝热过程，从而确定了在S_３解离为S₂的复杂过程中，非绝热预解离是重要的解离通道. 关键词： ３')" href="#">S_３ 从头算 预解离 非绝热     

A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究

基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S₁及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.