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131.
We consider the Dirichlet problem for a class of anisotropic degenerate elliptic equations. New a priori estimates for solutions and for the gradient of solutions are established. Based on these estimates sufficient conditions guaranteeing the solvability of the problem are formulated. The results are new even in the semilinear case when the principal part is the Laplace operator.  相似文献   
132.
提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.  相似文献   
133.
刘喆  唐喆  崔得良  徐现刚 《物理》2002,31(5):306-309
异质结晶体三极管(HBT)的性能与其材料体系密不可分,利用能带工程可以大大优化器件的结构,提高器件性能,文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能,分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性,说明了对HBT的各区材料,其带边的相对位置所起的重要作用,最后,文章还报道了近期的实验情况,说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。  相似文献   
134.
1 Introduction  Inrecentyears,boththetheoreticalandexperimentalinvestigationsonlasercoolingandtrappinghavebecomeoneofthemajorfieldsinatomic,molecularandoptical physics[1~ 8] .Thedevelopmentoflasercoolingandtrappingtechnologyisimportantfortheapplicationssu…  相似文献   
135.
The effect of SiO2 in SiCp and the following processing parameters on the microstructure and impact strength of Al/SiCp composites fabricated by pressureless infiltration was investigated: Mg content in the aluminum alloy, SiC particle size, and holding time. Preforms of SiCp in the form of rectangular bars (10 × 1 × 1 cm) were infiltrated at 1150°C in an argon→nitrogen atmosphere for 45 and 60 min by utilizing two aluminum alloys (Al-6 Mg-11 Si and Al-9 Mg-11 Si, wt.%). The results obtained show that the presence of SiO2 in SiC affects the microstructure and impact strength of the composites significantly. When Al4C3 is formed, the impact strength decreases. However, a high proportion of SiC to SiO2 limits the formation of the unwanted Al4C3 phase in the composites. Also, a higher content of Mg in the Al alloy lowers the residual porosity and, consequently, increases the composite strength. The impact strength grows with decrease in SiC particle size and increases considerably when the residual porosity is less than 1%. Russian translation published in Mekhanika Kompozitnykh Materialov, Vol. 42, No. 3, pp. 401–418, May–June, 2006.  相似文献   
136.
137.
Zusammenfassung. Eine Abbildung zwischen metrischen R?umen hei?t abstandsvertr?glich, wenn der Abstand der Bilder zweier Punkte nur vom Abstand der Punkte selbst abh?ngt. Wir zeigen, dass eine Abbildung genau dann abstandsvertr?glich ist, wenn der Cauchyschen Funktionalgleichung genügt, also ein Endomorphismus der Gruppe ist. Ein entsprechendes Resultat gilt auch für die abstandsvertr?glichen Abbildungen des Kreises (mit der Multiplikation komplexer Zahlen als Gruppenverknüpfung). Damit kann man sowohl alle messbaren abstandsvertr?glichen Abbildungen von bzw. in sich angeben, als auch einen Nachweis für die Existenz nichtmessbarer abstandsvertr?glicher Abbildungen auf und erbringen. Eingegangen am 20. Juni 2001 / Angenommen am 13. September 2001  相似文献   
138.
一类广义Bent型S-Box的构造   总被引:1,自引:0,他引:1  
S-box是密码理论与实践中十分重要的一种装置 ,它的密码性能由其分量函数所决定 .于是 ,选择适当的分量函数来构造 S-box就成了一个重要的研究课题 .在一定意义上 ,Bent函数是最优良的密码函数 .本文通过函数序列半群和置换群来构造其任何非零线性组合为 Bent函数与线性函数之和的函数组 ,从而可由 Bent函数构造出具有高度非线性度和其他良好性状的 S-box  相似文献   
139.
李湘南 《中国物理 C》2006,30(12):1206-1210
讨论单举B介子衰变中的难题, 包括直接CP非对称性及纵向极化分支比, 这些难题可能皆归因于量子色动力学的不准确度, 并非新物理的讯号.  相似文献   
140.
The pulsed positron beam at the Helsinki University of Technology is designed for the end energy of 3-30 keV and grounded target. This is achieved with a constant voltage acceleration followed by an adjustable deceleration. In the design of this accelerator-decelerator the possibility for electrical breakdowns and partial discharges must be eliminated.For designing the electrode and insulator structures for accelerator-decelerator configuration electric field simulations were carried out with the finite element analysis program. In this paper we present the design of the accelerator-decelerator and the results of the electric field simulations. The results of high voltage tests will also be presented and compared with the simulations.  相似文献   
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