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101.
准循环-低密度奇偶校验(QC-LDPC)码具有优异的性能,但在译码时需根据具体的信道模型修正对应的译码算法。本文分析了QC-LDPC码在空间光通信中的雪崩光电二极管(APD)接收机下的译码方法及译码性能,提出了在APD接收机信道下计算译码初始化所需的对数似然比(LLR)的方法。仿真结果表明,对APD接收机信道下的译码进行修正后,基本上不增加额外复杂度情况下,QC-LDPC码在精确的韦伯-高斯(Webb-Gaussian)模型下译码性能优于近似的非对称高斯模型;在信道比较理想的条件下,误码率(BER)为10-6时,韦伯-高斯模型与非对称高斯模型译码性能相比有1dB以上的净编码增益。 相似文献
102.
103.
Jeffrey Beck Richard Scritchfield Billy Sullivan Jamie Teherani Chang-Feng Wan Mike Kinch Martha Ohlson Mark Skokan Lewis Wood Pradip Mitra Mike Goodwin Jim Robinson 《Journal of Electronic Materials》2009,38(8):1579-1592
The operation of the mid-wave infrared (MWIR) HgCdTe cylindrical electron injection avalanche photodiode (e-APD) is described.
The measured gain and excess noise factor are related to the collection region fill factor. A two-dimensional diffusion model
calculates the time-dependent response and steady-state pixel point spread function for cylindrical diodes, and predicts bandwidths
near 1 GHz for small geometries. A 2 μm diameter spot scan system was developed for point spread function and crosstalk measurements at 80 K. An electron diffusion
length of 13.4 μm was extracted from spot scan data. Bandwidth data are shown that indicate bandwidths in excess of 300 MHz for small unit
cells geometries. Dark current data, at high gain levels, indicate an effective gain normalized dark density count as low
as 1000 counts/μs/cm2 at an APD gain of 444. A junction doping profile was determined from capacitance–voltage data. Spectral response data shows
a gain-independent characteristic. 相似文献
104.
105.
张桂成 《电子科学学刊(英文版)》1988,5(2):133-137
In this report the diffusion of Zn into Ge is investigated.The experiments are accomplishedin an evacuated and sealed quartz ampoule using Zn as the diffusion source.The relation of the X_j-t and C_s-(1/T)is given.The influence of the source temperature on the surface micrograph is investigated.It is foundthat using the two-temperature process a smooth surface layer can be obtained.The effect of the thickness ofthe SiO_2 films on the mask ability for Zn is given.The leakage current can be reduced by evacuation annealing, 相似文献
106.
107.
108.
本文报道了平面结构正面进光高速GaInAs/InP平面PIN光电二极管(使用Si-InP衬底)。该器件具有高的稳定性(在150℃下经1440小时高温老化后,暗电流无变化),大带宽(15GHz),高响应度(在1.3μm波长下,响应度为0.94A/W)。 相似文献
109.
Yuan Yuan Bassem Tossoun Zhihong Huang Xiaoge Zeng Geza Kurczveil Marco Fiorentino Di Liang Raymond G.Beausoleil 《半导体学报》2022,43(2):13-25
Silicon photonics technology has drawn significant interest due to its potential for compact and high-performance photonic integrated circuits.The Ge-or Ⅲ-Ⅴ material-based avalanche photodiodes integrated on silicon photonics provide ideal high sensitivity optical receivers for telecommunication wavelengths.Herein,the last advances of monolithic and hetero-geneous avalanche photodiodes on silicon are reviewed,including different device structures and semiconductor systems. 相似文献
110.
研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器.它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP(1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成.采用半矢量三维束传播(BPM)方法以及中心差分格式,模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率,从而得到了最优耦合条件.对于TE偏振和TM偏振模,计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%.同时,计算表明,此类基于稀释波导的光纤-波导耦合器具有高偏振不敏感性,偏振敏感度低于0.1dB. 相似文献