氮和碳等离子体基离子注入铝合金表面氮化铝／类金刚石碳膜改性层的摩擦学特性

对铝合金LY12进行等离子体基氮离子注入后再进行原位碳注入,从而在铝合金表面形成氮化铝（A1N）/类金刚石碳膜（DLC）改性层,考察了改性层的硬度及其在不同载荷下的滑动摩擦磨损特性;用X射线光电子能谱仪和小掠射角X射线衍射仪分析了A1N/DLC改性层的成分及相结构,用激光Raman光谱仪分析了表面单一碳层及磨痕的结构,结果表明：A1N/DLC改性层总厚度达800nm,最表层为厚400nm的DLC薄膜,过渡层主要由A14C3、β-C3N4、Al2O3及AlN等组成,注氮层由Al2O3和lN等组成;表面纳米硬度可达17.4GPa,比LY12的硬度高近10倍;在低载荷下,改性层的耐磨寿命与LY12合金相比提高了约20倍,摩擦系数降低了3-5倍,耐磨性提高了近170倍;随着滑动载荷的增加,其耐磨寿命和摩擦系数逐渐减小,而高的承载能力得以保持,DLC薄膜的耐磨减摩作用、过渡层及注氮层的支撑作用以及DLC薄膜在摩擦磨损过程中的石墨化作用是摩擦学性能提高的主要原因。     

W6Mo5Cr4V2钢氮离子注入表面改性层的摩擦学性能

对 W6 Mo5 Cr4V2钢进行氮离子注入 ,用销 -盘式摩擦磨损试验机考察了钢表面注入改性层的摩擦磨损性能 ;用扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪及微区 X射线衍射仪等考察了改性层的相组成、氮元素沿注入层深度方向的浓度分布及磨损机理 .结果表明 ,离子注入处理后钢表面显微硬度提高、残余压应力增大、表面粗糙度降、注入层中形成了大量细小弥散分布的硬质析出相ε- Fe2 - 3 N、Cr N及β- Cr2 N等 ,从而改善了材料的摩擦学性能 ,并导致磨损机理发生变化 .正交试验结果表明 ,氮离子注入对 W6 Mo5 Cr4V2钢摩擦学性能的改善程度与注入能量和注入剂量不成正比 ,注入参数存在最佳值 ,最佳注入能量为 10 0 ke V,注入剂量为 4× 10 1 7ions/cm     

φ3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究

详细介绍了φ３英寸ＧａＡｓ离子注入掺杂材料的制备结果。     

一种制备金属硅化物的离子束新技术

一种制备金属硅化物的离子束新技术柳百新，朱德华，卢红波（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）随着目前超大规模集成电路的迅速发展，要求器件尺寸按比例缩小，线宽也要求相应变窄。而多晶硅的薄层电阻极限为３０－６０／口，因此器件尺寸的进一步减小就被栅...     

金属中注入氮离子改善抗磨粒磨损性能的研究

在金属材料(轴承钢、铝、钛)中注入不同剂量的氮离子,用称重法测量被注材料抗磨粒磨损性能的改善状况。当注入剂量达到10~(17)/cm~2时,此性能有所改善。在(2～5)×10~(17)/cm~2范围内,此性能改善状况较佳。     

用等离子体浸没离子注入制作亚100nmP^＋／N结

采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)技术,通过SiF_4预非晶化后进行BF_3掺杂制作了亚100nmP~+/n结。这种方法的掺杂率可高达10~(16)/cm~2·s。硅片浸没在SiF_4或BF_3等离子体中并加负偏压。带正电的离子由等离子体层内的电场加速后注入到硅片中。改变加在硅片支座上的负压及热退火的条件就可控制结深。     

离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术

用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。     

离子注入掺杂热再分布的分析计算

本文对离子注入杂质的熟再分布过程提出了两种分析手段，其一是已知热再分布的工艺条件，求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果；其二是已知再分布后杂质分布的边界条件，采用牛顿—拉夫逊。蒙特卡罗计算方法，求得最终杂质浓度分布；并给出了CMOS集成电路中离子注入p阱的计算结果。     

硅发光二极管

英国萨里大学的科学家使用硅材料制造出能在室温下有效发光的二极管。在此基础上,科学家有望将发光装置有效地集成到超大规模集成电路中,制造出体积更小、功能更强大的芯片,以及更高性能的通信设备。     

斜角及旋转式离子注入技术

灵活的硅片定向定位注入－先进的ＣＭＯＳ器件制造技术对离子注入技术发展的新要求。