辅酶Ⅰ在Co／CFUE上的电化学行为及应用

辅酶I(NAD+)在0.005moL/LTris 0.01moL/LNaCl溶液(pH7.0)中,于钴离子注入修饰碳纤维电极上出现一个S形的还原波,半波电位为-1.45V(vs.SCE)。峰电流与NAD+的浓度在2.38×10-5～4.76×10-4mol/L(r=0 9992)和4.76×10-4～1.78×10-3mol/L(r=0.9982)之间成线性关系,检出限为1.19×10-5mol/L,回收率在96.7%～103.4%之间。用线性扫描、循环伏安法研究了钴离子注入修饰碳纤维电极上NAD+的电化学行为。电极反应机理为:NAD++e NAD·;NAD·+e+H+ NADH;2NAD·→NAD2。另外,钴离子注入修饰碳纤维电极对NAD+具有电催化作用。     

离子注入修饰电极检测硝基苯

离子注入是一种新技术，可按人们的意愿和需要，将不同的离子注入不同的基本电极表面，制成具有催化活性强，稳定性高，重现性好等特点的修饰电极。作者研究了离子注入钴和注入镍的玻碳电极在０．１ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲溶液中硝基苯的行为及测定。     

NiOxHy薄膜的电致变色特性和机理

运用循环伏安和阶跃电位方法研究了Ni（OH）2粉末靶直流溅射沉积的NiOxHy薄膜电致变色特性．结合实时的光透射-时间变化，发现着色后的薄膜在零外电势下有一自发的消色过程，该过程可能对应着Li 的自发注入。着色没有自发过程，获取了着消色状态Ni2p3／2和O1s的XPS谱，表明在着色态镍被氧化，消色态镍被还原，相应地氧的化学环境发生改变．     

可见光照射下丙炔光催化水解反应的研究 Ⅱ．钒离子对二氧化钛催化性能的影响

 研究了几种不同粒径的TiO2在CH3CCH和H2O的光催化反应中的催化活性．结果表明,利用离子注入法可以拓展纳米TiO2催化剂的光吸收区域,使其吸收带向可见光方向偏移,且偏移程度随着TiO2粒径的增大而增大;特别是注入V离子使TiO2催化剂在可见光区域具有光催化活性．V离子注入后,TiO2催化剂在紫外区域的光催化活性没有下降,但在可见光区域的光催化活性有所提高．在五种光催化剂中,具有中等粒径大小的P－25注入V离子后表现出最高的光催化活性．在太阳光直接照射下,这些光催化剂也具有较高的催化活性．     

全湿法、无灰化的全新去胶技术

在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在离子注入工艺中，图形化的光刻胶起掩模的作用，特别难以清除。大剂量的离子注入（〉1×l014ions／cm^2）将光刻胶表面脱氢并高度交联，其性能很像非晶碳。改性光刻胶的厚度由注入剂量、注入能量和注入离子种类决定。     

应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正全新的Applied Varian VIISta~ 900 3D系统实现无与伦比的离子束线路精度,适用于复杂FinFET和3D存储结构的掺杂工艺独一无二的离子束形状控制能力结合SuperScan 3TM技术,可显著降低器件可变性,实现卓越的颗粒控制性能,从而显著提升产品良率应用材料公司日前宣布全新推出Applied Varian VIISta 900 3D系统。作为业内领先的中电流     

X射线光电子能谱法研究In_(0.53)Ga_(0.47)As基Er_2O_3薄膜的能带排列

采用分子束外延(MBE)法在In_(0.53)Ga_(0.47)As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er_2O_3薄膜。台阶仪测得该Er_2O_3薄膜厚约10 nm。X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er_2O_3薄膜符合化学计量比。原子力显微镜测试结果显示,该薄膜表面平整。采用X射线光电子能谱同时测得Er 4d、In 3d和O1s的芯能级谱、Er_2O_3的价带谱以及O1s的能量损失谱,从而得到Er_2O_3的禁带宽度以及Er_2O_3与In_(0.53)Ga_(0.47)As衬底之间的价带偏移和导带偏移,数值分别为(5.95±0.30)eV、(-3.01±0.10)eV和(2.24±0.30)eV。通过X射线光电子能谱方法得到了Er_2O_3/In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结的能带排列。从能带偏移的角度来看,上述研究结果表明,Er_2O_3是一种非常有应用前景的In_(0.53)Ga_(0.47)As基栅介质材料。     

应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正应用材料公司Applied Varian VIISta 9003D系统成为集成电路芯片生产中先进的电流离子注入设备,该系统专为2x纳米以下节点的Fin FET和3D NAND工艺流程而开发,具有超凡的控制能力,可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化,降低可变性,提高合格率,是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。VIISta 900 3D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度,并且还能够出色地控制离子     

稀土元素在含残余砷、锡09Cr2AlMoRE钢中的作用

对加稀土前后09Cr2AlMoRE钢取样分析化学成分,制备金相样用SEM-EDS研究了钢中析出物特征,制备透射电镜(TEM)试样通过TEM研究元素的晶界偏聚,并用热力学计算了稀土Ce,La,S和残余元素As反应固定残余元素As的可能性。研究结果表明:在低氧、硫的条件下,稀土镧可以和09Cr2AlMoRE钢中较低含量的砷(130×10-6)作用生成镧砷金属间化合物;铈、镧主要是通过形成稀土砷硫夹杂物固定钢中残余元素砷。另外,在本实验条件下稀土元素(64×10-6)只有很微量的偏聚在晶界,残余元素As不在晶界偏聚。     

Growth mechanism and optical properties of InGaAs/GaAsSb Su-perlattice structures

In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth temperatures.We simulated the incorporation difference between Sb2 and As2 by using a non-equilibrium thermodynamic model.Our study of Ga As Sb growth has successfully yielded,high quality In Ga As/Ga As Sb Type II superlattice for which the optical properties were characterized by photoluminescence at different excitation power and temperature.A blue-shift in luminescence peak energy with excitation power was observed and was described by a non-equilibrium carrier density model.We measured and analyzed the dependences of peak energy and integrated intensity on temperature.Two thermal processes were observed from intensity dependent photoluminescence measurements.