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31.
Yasuo Koide T. Kawakami Masanori Murakami N. Teraguchi Y. Tomomura A. Suzuki 《Journal of Electronic Materials》1998,27(6):772-775
Schottky barrier heights (SBHs) of a variety of metals (In, Cd, Nb, Ti, W, Cu, Ag, Au, Ni, Pt, and Se) contacting to p-ZnSe
grown by a molecular beam epitaxy method were determined by analyzing capacitance-voltage (C-V) and/or current density-voltage
(J-V) curves. The SBH values of the Au and Ni contacts were determined from intersections of straight lines of the C−2-V curves to be 1.23 and 1.13 eV, respectively. The J-V calculations provided a large SBH value of 1.2 ± 0.1 eV for a variety
of metals, indicating that the Fermi-level could be pinned at the contact interface. Reduction of the SBH values to a level
lower than 0.4 eV and/or increase of doping concentrations to a level higher than 1020 cm−3 are essential to obtain an ohmic contact with contact resistivity of around 10−3 Ω·cm2. 相似文献
32.
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。 相似文献
33.
激光二极管端面抽运的棒状Yb:YAG激光器 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了影响激光二极管抽运Yb:YAG激光器调Q效率的参量,推导了激光二极管端面脉冲抽运Yb:YAG晶体的速率方程,解出了双程抽运情况下的净抽运量子产率。利用数值计算方法,模拟了净抽运量子产率与晶体长度,抽运光脉冲宽度等关系,得出晶体长度的优化可以提高Yb:YAG激光器输出效率。计算了词Q Yb:YAG激光器的最大增益、最大储能,分析了放大自发辐射对于Yb:YAG能量存储的影响。同时给出了激光二极管端面抽运调Q Yb:YAG优化设计方法。这些分析和计算为实际器件的研制提供参考。 相似文献
34.
成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加,当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时,其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ/IPDDOPV分别为1.092、1.329、1.605、2.046。换句话说,该器件的发光颜色是压控可调的,这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ/IPDDOPV受电压控制的原因。 相似文献
35.
研究了LaB6在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明,电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下,脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中,阴极表面有离子的清洗和活化作用,可以使电极的表面逸出功降低,提高放电管的发射能力和稳定性。LaB6作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点,可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。 相似文献
36.
The effect of ITO films thickness on the properties of flexible organic light emitting diode 总被引:1,自引:0,他引:1
Indium tin oxide (ITO) thin films were deposited on cyclic olefin copolymer substrate at room temperature by an inverse target sputtering system. The crystal structure and the surface morphology of the deposited ITO films were examined by X-ray diffraction and atomic force microscopy, separately. The electrical properties of the conductive films were explored by four-point probing. Visible spectrometer was used to measure the optical properties of ITO-coated films. The performance of the flexible organic light emitting diode device with different thickness anode was investigated in this study. 相似文献
37.
We have proposed a mechanism of nonideality, i.e., the temperature dependence of the ideality factor, in nearly ideal Au/n-Si Schottky barriers. Because of the nature of metal-induced gap states, positively ionized defects close to the interface are considered to cause local lowering of the Schottky barrier height (SBH) due to downward bending of the energy band. These positively charged defects become neutralized in equilibrium with the Fermi level due to the band bending, when they are very close to the interface. However, because the SBH lowering disappears by the neutralization of donor, the energy level of donor with a usual energy level scheme rises above the Fermi level after the neutralization. This contradiction to the equilibrium neutralization is resolved by Si self-interstitial with a large negative-U property, which is generated by the fabrication process. The energy level of the donor estimated from the SBH lowering is in good agreement with that of theoretical calculation of Si self-interstitial. Thus, the defect is concluded to be the Si self-interstitial, which is distributed to more than 10 Å depth from the interface. 相似文献
38.
39.
二极管激光侧泵浦单横模100Hz电光调Q激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了二极管激光侧泵浦单横模100Hz电光调Q激光器的实验结果。泵浦源为一个线阵准连续100W二极管激光器,激光工作介质为NdYAG薄梯形板条,板条与泵浦源间用柱透镜耦合,KD*P电光晶体调Q。在100Hz重复频率下,获得单脉冲能量2.37mJ,脉宽小于7ns,光束质量因子M2=1.1的1.06μm激光,光-光效率为8.5%,斜效率为18.7%。 相似文献
40.
激光二极管自混合干涉和微振动的实验观测 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了利用LabView软件虚拟示波器和信号源,对激光二极管自混合干涉和微振动进行的实验观测.该实验可以作为本科低年级学生的综合设计实验. 相似文献