微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用

物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件，这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域，离不开相应的技术手段，微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一，是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域，介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。     

EBS—Sprite摄象器件特性的理论分析

本文在理论分析的基础上,提出了电子轰击扫积形(简称EBS-Sprite)摄象器件的物理模型。对靶的主要特性进行了深入的分析,给出了靶的静态增益G■,信噪比S/N,调制传递函数MTF,载流子收集效率η_1,η_2以及载流子扫出效率η_■的数学表达式。还讨论了靶的分辨率、动态范围、阈值照度。这些参数的理论分析表明,该靶可以在5×10~(-5)下工作,动态范围大于10~5:1,分辨率不低于CCD摄象器件,是一种结构简单,易于实现,信噪比高,阈值探测能力强,无滞后、无晕光和无拖尾效应,动态范围宽的理想微光摄象器件。     

飞博创公司成功开发出2．5G光模块

致力于光收发模块及相关器件研发和生产的飞博创公司。依托其强大的研发生产实力、优秀的业绩表现和发展前景。已实现了连续17个季度盈利的良好记录。并作为唯一一家将研发、生产和营运中心设立在亚太地区的光模块厂商。被北美权威媒体评选为全球光器件及子系统提供商5强。     

佛山LED封装技术取得突破填补国内空白

由佛山国星光电科技有限公司承担的广东省关键重点招标项目“白光LED器件及应用产品关键技术研究和产业化”，最近通过了广东省经贸委组织的验收。     

磁电子学器件应用原理

本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.     

小透镜大市场

微透镜阵列具有很强的适应性，可广泛用于通信、显示和成像器件中，实现了器件的小型化。当技术进步发现有利可图的市场，或者市场需求推动技术进步时，就会出现创新。近年来，技术和市场的完美组合形成了大规模微透镜产业。远程光通信的发展成为微型光学器件产业的主要驱动因素之一。１小而神奇传统意义上的微透镜的直径小于１mm，即其尺度为μm级。目前光子学领域定义的“微透镜”的范围很广，它包括直径达到几毫米的透镜。以阵列形式存在是微透镜的特点之一。微透镜阵列的产生源于最终用户并行处理信息的需求，以及微透镜加工技术的特性…     

迅速发展的有机电致发光(OEL)显示器件

有机电致发光显示器件以其全固体、自发光、宽视角、高对比、快响应、低功耗、更轻薄等比液晶显示器件更为优越的特性 ,在小尺寸平板显示市场上正开始向 LCD挑战     

有机电致发光器件材料的椭偏研究

本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪（Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer）测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数，我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜，然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量，测量在大气中进行，光谱范围从200到1000nm（或1.24到5cV），测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃，接着，用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长（光子能量）的变化函数进行拟合，通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线，并且从材料吸收谱的吸收边，我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。     

模拟集成电路新技术

近几年来,模拟集成电路得到了飞速发展,其表现之一是使用MOS器件的模拟集成电路逐渐成为主流,改变了模拟集成电路主要使用双极型器件的局面。MOS器件具有尺寸小、功耗低等优点,特别是它与数字电路的主流工艺兼容,这对系统级芯片(SOC)的实现有重要意义。而MOS器件的噪声大,工作频率低的缺点,随着集成电路工艺和电路技术的进步,已有很大改观,完全可以满足一般电子系统对性能的要求。