电工所在高性能石墨烯基超级电容器研究中取得进展

正超级电容器作为新型储能器件,具有功率密度高、充电时间短、使用寿命长等优点,但其能量密度一直受限于电极材料的性能。中科院电工研究所马衍伟课题组通过金属镁热还原二氧化碳气体,成功制备出富含孔道结构的石墨烯电极材料。基于此石墨烯研制的超级电容器,在水系和有机电解液中表现出优异的功率特性和循环寿命,在功率密     

基于精确模型的毫米波单片集成电路设计

介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术，有源器件（如ＰＨＥＭＴ）等效电路模型的建立和无源元件（如微带Ｔ形结、十字结、转角等）精确电磁场模型的建立，同时介绍了毫米波单片放大器的ＣＡＤ设计过程。     

全国第十二届红外加热暨红外医学发展研讨会征文通知

由中国光学学会红外光电器件专业委员会、中国光学光电子行业协会红外分会、中国电子学会量子电子学与光电子学分会、锦州市光学学会、云南省光学学会、中国机械工程学会工业炉分会、中国电工技术学会电热专业委员会、武汉国家红外产品质量监督检验中心联合主办,南京大学光通信工程研究中心、南京丹联科技有限公司承办,《红外技术》编辑部、《工业加热》编辑部、淄博蓝景纳米材料有限公司协办的全国第十二届红外加热暨红外医学发展研讨会,定于2009年10月在南京市召开。     

低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器

氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势。基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板波导模式转换损耗、截断损耗、泄漏损耗等方面对氮化硅基AWG波光(解)复用器插入损耗进行了优化,并采用标准CMOS工艺完成低损耗C波段AWG密集波分(解)复用器制备。该氮化硅基AWG密集波分(解)复用器输出通道数为16,输出通道频率间隔200 GHz。测试结果表明,该AWG波分(解)复用器的平均插入损耗为2.34 dB,1 dB带宽为0.44 nm,3 dB带宽为0.76 nm,串扰约为-28 dB。芯片尺寸为850μm×1700μm,较平面光波导(PLC)基AWG大大减小。     

光波分复用器件和光学梳状滤波器理论及最新进展

介绍了波分复用（WDM）/解复用器件和光学梳状滤波器（Interleaver)的几种实现方法，分析了各种方法的特点和现状，并提出了实现更密集WDM的一种新途径——DWDM器件和Interleaver级联方案。     

GaAs/AlGaAs多量子阱FET-SEED灵巧象元

将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件（SEED）,光源为骨子阱半导体激光器。测出的光输出Pout／光输入Pin特性表明,光输入信号对光输出信号有明显的调制作用,光输入信号较小的变化可以导致光输出信号较大的变化。     

光无源器件在WDM网络中的应用

本文详细介绍光无源器件在ＷＤＭ网络中的主要作用及其基本现状,以ＷＤＭ网络为光导,对网络中应用的光无源器件作逐一介绍。     

平板显示器件的参数测量及标准

对平板显示器件的测量参数和标准及测量方法进行了分析研究，讨论了各种不同类型的平板显示器件的特点，并对显示器件的测量方法和评估标准进行了比较。     

被表面繁荣遮住双眼的2010中国电子

2010年在一片的缺货声中即将走完,但中国人为国外公司打工的日子仍在继续。工信部肖华司长在IC China 2010高峰论坛演讲中说,新一代信息技术、节能环保、新能源、生物产业、高端装备制造、新材料等     

2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述

综述和评论了在第20届IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议会议上发表的一些主要成果和进展,其中对一些重点成果还补充了往年的研发情况和发展经历,希望能帮助读者大致上了解当前功率器件和功率集成电路研发的典型状况和最新信息。