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61.
针对OFDM信号对功放高峰值功率的要求,提出了工作在220~400 MHz的大功率功放模块设计的新方法.该方法结合ADS软件仿真分析,按仿真模型用QFX86射频同轴电缆自制了功率分配/合成网络,用该网络设计了一款输出峰值功率不小于300W的功放模块.该模块已成功应用于某电台中且工作良好. 相似文献
62.
本文构建了一个通用化、标准化、模块化的带射频接收前端,结合指标要求,进行了系统指标的规划及方案
的可行性论证,利用ADS 软件对其关键指标进行了仿真验证,阐述了宽带射端的设计方法及步骤。通过对各个功能模
块的设计、选择、及调试,最终在200MHz-3200MHz 的频率范围内,采用二次变频技术设计了一种超外差接收前端。
介绍了宽带射频前端系统仿真研究、接收机系统的方案选择、大动态范围接收机的实现接收机技术指标的计算与仿真
和发射机系统的设计与仿真。介绍了宽带一体化接收前端技术的系统设计与实现以及2~6GHz 通用接收机研究及关键
电路的设计与实验。 相似文献
63.
主要介绍DOS/DDOS攻击的原理与种类,并着重介绍防御DOS/DDOS攻击的应对策略,并结合专业防御系统对构建专业防御体系进行了探讨。 相似文献
64.
电调谐滤波器因其成本低、体积小和良好的跟踪滤波特性在射频接收领域得到了广泛应用和发展。通过分析耦合因子对调谐回路的影响,介绍了一种电调谐滤波器的设计改进方法,解决了宽频带使用时调谐回路耦合因子变化较大的缺点,与常规设计方法相比,滤波器的使用性能有较大的改善和提高。结合ADS仿真和实际测量,验证了该方法的正确性。 相似文献
65.
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69.
In this paper, we have analyzed the design parameters of Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFETs as an RF switch for the advanced wireless telecommunication systems. The proposed CSDG RF MOSFET is operated at the microwave regime of the spectrum. We emphasize on the basics of the circuit elements such as drain current, threshold voltage, resonant frequency, resistances at switch ON condition, capacitances, energy stored, cross talk and switching speed required for the integrated circuit of the radio frequency sub-system of the CSDG RF CMOS device and the physical significance of these basic circuit elements is also discussed. We observed that the total capacitance between the source to drain for the proposed CSDG MOSFET is more compared to the Cylindrical Surrounding Single-Gate (CSSG) MOSFET due to the greater drain current passing area of the CSDG MOSFET, which reveals that the isolation is better in the CSDG MOSFET compared to that of the simple double-gate MOSFET and single-gate MOSFET. We analyzed that the CSDG MOSFET stores more energy (1.4 times) as compared to the CSSG MOSFET. Therefore, the CSDG MOSFET has more stored energy. The ON-resistance of CSDG MOSFET is half than that of the double-gate MOSFET and single-gate MOSFET, which reveals that the current flow from source to drain in CSDG MOSFET is better than the double-gate MOSFET and single-gate MOSFET. 相似文献
70.