Ka波段宽带四倍频器的研制

介绍了一种Ka波段宽带四倍频器的研制方法。为了实现宽带、低插入损耗的要求，该倍频组件采用二倍频器—放大器—二倍频器的结构，即在两级倍频器之间插入一级宽带驱动放大器，而Ku波段和Ka波段的二倍频器分别采用了结构新颖的平面耦合微带线巴伦倍频器和平面毫米波倍频器。     

PPT光纤波片耦合模方程的解析解

理论分析了PPT光纤波片耦合模方程，得出了一定条件下的解析解，将该解析解和渐进近似结果进行了比较，它们在实际应用的PPT光纤波片中具有很好的一致性。     

应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.     

带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器

提出利用隧道结实现带间耦合再生多有源区大光腔大功率的半导体激光器。该激光器能够在小的电流下输出大的光功率；同时可以使出光端面成倍增加，减少了端面光密度，克服端面灾变性毁坏（COD）。由于耦合形成大光腔，提高了光输出的质量。制备4个有源区带间耦合大功率980nm半导体激光器。在2A注入电流下输出功率5W，阈值电流172mA，斜率效率3.24w/a，阈值电流密度273A/cm^2。     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型，并且应用该模型，对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关，采用全波分析方法，进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级，而驱动电压高达40～60V，这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示，开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示，耦舍到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真。     

具阻尼的非线性耦合方程组的能量衰减估计

应用一个新的积分不等式,得到了具阻尼的非线性耦合方程组的衰减估计,以及精确的估计常数.     

数字示波器使用中常见问题

1、如何测量直流电压？答：需要设置耦合方式为直流，根据大概的范围调节垂直档位到一个合适的值，然后比较偏移线跟通道标志的位移。     

一些非线性发展方程的显式行波解

该文给出了一种构造非线性发展方程显式行波解的方法并用该方法得到了Hirota-Satsuma方程组,一类非线性常微分方程以及广义耦合标量场方程组的显式行波解.     

LTCC双波段定向耦合器设计与分析

文中介绍了双频手机前端用的LTCC定向耦合器的工作原理及其结构形式，并就其设计要求从LTCC微带结构和微波耦合特性两个方面进行系统分析。