时间切片离子速度成像技术关于MgO在193 nm的光解反应动力学研究

本文利用时间切片离子速度成像技术对MgO分子在193 nm下的光解反应动力学进行了研究. 实验通过产物Mg的速度和角度分布分析,发现了三个光解反应路径. 路径一为MgO(X¹Σ⁺)态分子吸收一个光子到MgO(G¹π) 态,由于G¹π, 3³π和1⁵π态之间的自旋轨道耦合作用,反应沿着1⁵π的势能面解离生成产物Mg(³P_u)+O(³P_g). 路径二、三分别为MgO(A¹π)态分子吸收一个光子到MgO(G¹π)态和MgO(4¹π) 态,进而解离生成产物Mg(³P_u)+O(³P_g)和Mg(¹S_g)+O(¹S_g). 光解离路径的各向异性参数与振动能级的寿命以及转动和振动自旋轨道态的耦合有关. 从总动能分析得到D₀(Mg-O)=21645±50 cm^-1.     

Comparison of etching characteristics of SiO2 with ArF photoresist in C4F6 and C4F8 based dual-frequency superimposed capacitively coupled plasmas

In this study, we compared the C₄F₆ and C₄F₈ based plasma etching characteristics of silicon dioxide and ArF photoresist (PR) in a dual-frequency superimposed capacitively coupled plasma (DFS-CCP) etcher under different high- and low-frequency combinations (f_HF/f_LF), while varying the process parameters such as the dc self-bias voltage (V_dc), O₂ flow, and CH₂F₂ flow rate in the C₄F₈/CH₂F₂/O₂/Ar and C₄F₆/CH₂F₂/O₂/Ar plasmas. The silicon oxide etch rates increased significantly in both chemistries with increasing f_HF and O₂ flow rate. The silicon oxide etch rates were higher in the C₄F₈/CH₂F₂/O₂/Ar than in the C₄F₆/CH₂F₂/O₂/Ar plasmas, but the PR etch rate was much higher in the C₄F₆/CH₂F₂/O₂/Ar than in the C₄F₈/CH₂F₂/O₂/Ar plasmas under the present experimental conditions. The slower oxide etch rate in the C₄F₆ based plasmas was attributed to the thicker steady-state fluorocarbon layer on the silicon oxide surface, while the faster PR etch rate in the C₄F₈ based plasmas was ascribed to the higher F radical density in the plasma.     

脉冲绿激光划切蓝宝石基片的工艺参量研究

为了提高划切蓝宝石的成品率和划切效率,研究了脉冲绿激光（波长532nm）的偏振性、脉冲激光能量、激光焦点位置、扫描速率、扫描次数等工艺参量对蓝宝石基片划切质量的影响。结果表明,脉冲绿激光划切蓝宝石基片时,扫描方向平行于入射面线偏振方向,焦点位置为负离焦50μm,可以获得良好的微划槽;脉冲激光能量增加,划槽深度和宽度增加;扫描速率增加,切槽深度减小,划槽宽度先增加后减小;扫描次数增加,划槽深度和宽度增加。这些结果对合理选择激光划切蓝宝石基片工艺参量以获得较好质量的刻槽有一定帮助。     

毛细管放电类氖氩69.8nm激光增益特性研究

建立了计算69.8nm激光增益系数的理论模型,根据实验参数,计算了在主脉冲电流为12 kA时,69.8nm激光增益系数最大值为0.32 cm~(-1).理论模拟了不同初始气压下增益系数在毛细管径向上的分布情况.对理论结果的分析表明,最佳的初始气压在12—14 Pa范围内,此时69.8nm激光增益系数的极值最大.实验上,利用毛细管放电装置和罗兰光谱仪,测量了不同气压下的69.8nm激光强度,实验确定的最佳气压为16 Pa,与理论结果相近.此外,实验测量的增益系数(0.4 cm~(-1))略高于理论计算的增益系数(0.32 cm~(-1)).     

微型化LD泵浦Er~(3+),Yb~(3+)共掺磷酸盐玻璃被动调Q激光器

报道了一种主要应用于激光测距的微型化激光二极管泵浦Er3+/Yb3+共掺磷酸盐玻璃被动调Q激光器。采用中心波长940nm的二极管作为泵浦源,Er3+/Yb3+共掺磷酸盐玻璃作为增益介质,Co2+:MgAl2O4作为被动调Q晶体,通过优化增益介质和被动调Q晶体参数,获得了最佳的增益介质长度和被动调Q晶体初始透过率。当泵浦能量14mJ,重复频率10Hz,泵浦脉宽5ms时,获得了单脉冲能量480μJ,脉宽5ns,峰值功率大于20kW的激光输出,激光光束质量因子为1.2。     

880nm半导体激光主动照明光纤耦合模块

为降低半导体激光主动照明红曝,选择波长880 nm大功率半导体激光器作为新型激光主动照明成像系统光源。根据光纤耦合过程光参数积不变原理,研制出波长880 nm大功率半导体激光器阵列单光纤耦合模块,利用光纤匀光作用使激光光束匀化整圆后用于激光主动照明。首次在波长880 nm大功率半导体激光器上采用阶梯反射镜光束整形方法,使激光光参数积与光纤匹配,激光高效耦合进入纤芯400μm、数值孔径0.22的光纤。室温条件下光纤耦合模块连续输出功率44.9 W,电光转化效率35%,波长880 nm大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块,不仅其红曝小而且对应CMOS图像传感器光谱响应度较高,系统成像质量好。     

BBO四倍频全固态Nd:YVO4紫外激光器

报道了用BBO晶体对激光二极管抽运Nd:YVO4晶体声光调Q产生的1.064μm激光进行四倍频,实现平均功率为63mW准连续波266nm紫外激光运转,重复频率为12.5kHz、单脉冲能量5μJ、峰值功率达252W,绿光-紫外光转换效率达11%.     

用超临界流体干燥法制备纳米级二氧化锆

本文采用超临界流体干燥技术（Supercriticalfliuddryingtechnique），用超临界乙醇作干燥（脱水）剂制备了纳米粒子ZrO_2，并用X－射线衍射和透射电镜对其进行了表征．结果表明，用超临界流体干燥法能获得颗粒细、大小均匀和抗团聚性能好的纳米粒子。     

1338nm单一谱线Nd:YAG激光器

通过控制介质膜系在不同波长的透过率,实现了Nd YAG单一谱线13 3 8nm激光运转,抽运功率为2 2 0 0W时,激光输出平均功率为10 2W ,电-光转换效率为4.6% ,斜率效率为6.3 % ,输出功率不稳定度≤±5 %。激光阈值功率约为40 0W。     

Si衬底上磁控溅射法生长MgO薄膜

我们用射频磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上生长MgO薄膜,借助X射线衍射(XRD)分析发现,我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜,分别是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜和晶格常数为0.812nm的新结构的MgO薄膜.我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响.实验表明,高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0.812nm的新结构的MgO相的形成.在高的气压和温度下,我们制备出了晶格常数为0.812nm,具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了这种薄膜的表面形貌.