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串行和并行接口模式是A/D转换器诸多分类中的一种,但却是应用中器件选择的一个重要指标.在同样的转换分辨率及转换速度的前提下,不同的接口方式不但影响了电路结构,更重要的是将在高速数据采集的过程中对采样周期产生较大影响.本文通过12位串行ADC ADS7822和并行ADC ADS774与AT89C51的接口电路,给出二者采样时间的差异性. 相似文献
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A. I. D’Souza M. G. Stapelbroek P. N. Dolan P. S. Wijewarnasuriya R. E. DeWames D. S. Smith J. C. Ehlert 《Journal of Electronic Materials》2003,32(7):633-638
The 1/f noise in photovoltaic (PV) molecular-beam epitaxy (MBE)-grown Hg1−xCdxTe double-layer planar heterostructure (DLPH) large-area detectors is a critical noise component with the potential to limit
sensitivity of the cross-track infrared sounder (CrIS) instrument. Therefore, an understanding of the origins and mechanisms
of noise currents in these PV detectors is of great importance. Excess low-frequency noise has been measured on a number of
1000-μm-diameter active-area detectors of varying “quality” (i.e., having a wide range of I-V characteristics at 78 K). The
1/f noise was measured as a function of cut-off wavelength under illuminated conditions. For short-wave infrared (SWIR) detectors
at 98 K, minimal 1/f noise was measured when the total current was dominated by diffusion with white noise spectral density
in the mid-10−15A/Hz1/2 range. For SWIR detectors dominated by other than diffusion current, the ratio, α, of the noise current in unit bandwidth
in(f = 1 Hz, Vd = −60 mV, and Δf = 1 Hz) to dark current Id(Vd = −60 mV) was αSW-d = in/Id ∼ 1 × 10−3. The SWIR detectors measured at 0 mV under illuminated conditions had median αSW-P = in/Iph ∼ 7 × 10−6. For mid-wave infrared (MWIR) detectors, αMW-d = in/Id ∼ 2 × 10−4, due to tunneling current contributions to the 1/f noise. Measurements on forty-nine 1000-μm-diameter MWIR detectors under
illuminated conditions at 98 K and −60 mV bias resulted in αMW-P = in/Iph = 4.16 ± 1.69 × 10−6. A significant point to note is that the photo-induced noise spectra are nearly identical at 0 mV and 100 mV reverse bias,
with a noise-current-to-photocurrent ratio, αMW-P, in the mid 10−6 range. For long-wave infrared (LWIR) detectors measured at 78 K, the ratio, αLW-d = in/Id ∼ 6 × 10−6, for the best performers. The majority of the LWIR detectors exhibited αLW-d on the order of 2 × 10−5. The photo-induced 1/f noise had αLW-P = in/Iph ∼ 5 × 10−6. The value of the noise-current-to-dark-current ratio, α appears to increase with increasing bandgap. It is not clear if
this is due to different current mechanisms impacting 1/f noise performance. Measurements on detectors of different bandgaps
are needed at temperatures where diffusion current is the dominant current. Excess low-frequency noise measurements made as
a function of detector reverse bias indicate 1/f noise may result primarily from the dominant current mechanism at each particular
bias. The 1/f noise was not a direct function of the applied bias. 相似文献
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随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。 相似文献
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MAX1773/MAX1773A是用于双电池系统的电源选择器,它允许外部控制器去管理双电池组、适配器输入、电池充电器和系统负载所需的电源连接。文中介绍了MAX1773/1773A的特点、引脚功能、内部结构和工作原理,给出了MAX1773/MAX1773A的典型工作电路。 相似文献
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重点论述下一代网络(NGN)、下一代宽带无线(NGBW)及3G演进中的宽带业务发展与“撒手锏”、“产业链”及持续创新与发展的关系。 相似文献
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