二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

大功率CO2激光器脉冲电源研究

本文论述了直流高压与高频脉冲电源相叠加，构成高频、高压脉冲电源，并使其对CO2激光器进行放电实验，研究了同条件下的放电参数与功率。     

双波长稳频CO_2激光模糊控制系统的建模与优化

报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器，用于双波长稳频ＣＯ２激光器的控制得到令人满意的结果。     

Synthesis of heterocyclic systems with a carbohydrate fragment

Levoglucosenone reacts with α-aminoazoles to yield azolo[1,5-a]pyrimidine systems fused with a carbohydrate fragment. The reaction oocurs much more smoothly than in the case of other α,β-unsaturated ketones. The reactions of levoglucosenone with β-dicarbonyl compounds (dimedone, barbituric acid) in the presence of a base results in the pyran ring closure, which has never been observed earlier in reactions of β-dicarbonyl compounds with α,β-unsaturated ketones under the conditions of basic catalysis. The structures of products were established by IR and NMR spectroscopy. For Part 3, see Ref. 1. Translated fromIzvestiya Akademii Nauk. Seriya Khimicheskaya, No. 3, pp. 553–558, March, 1997.     

相干源二维波达方向估计

本文分析了平面阵接收信号的协方差矩阵，发现它可分解为一个广义对称矩阵与一个非广义对称矩阵之和，利用信号协方差矩阵的这一结构特征，重点研究了相干源二维波达方向（DOA）估计．该方法通过构造一个差矩阵，求出其本特征值对应的任一特征向量，利用谱函数估计相干源二维DOA．简要分析了二维DOA估计的分维处理。     

Double Michael Additions of Lithium Enolate of 1,4-Dioxaspiro[4.5]dec-6-en-8-One to Acrylates

Double Michael additions of lithium enolaie of 1,4-dioxaspiro[4.5]dec-6-en-8-one to four acrylates afforded bicyclo[2.2.2]octan-2-ones with high regio- and stereoselectivities in moderate yields.     

Effect of absorbed pump power on the quality of output beam from monolithic microchip lasers

The dependence of the beam propagation factor (M ² parameter) with the absorbed pump power in the case of monolithic microchip laser under face-cooled configuration is extensively studied. Our investigations show that the M ₂ parameter is related to the absorbed pump power through two parameters (α and β) whose values depend on the laser material properties and laser configuration. We have shown that one parameter arises due to the oscillation of higher order modes in the microchip cavity and the other parameter accounts for the spherical aberration associated with the thermal lens induced by the pump beam. Such dependency of M ² parameter with the absorbed pump power is experimentally verified for a face-cooled monolithic microchip laser based on Nd³⁺ -doped GdVO₄ crystal and the values of α and β parameters were estimated from the experimentally measured data points.     

C72,La2@C72几何结构和电子性质的计算研究

采用密度泛涵理论(density functional theory,DFT)中的广义梯度近似(generally gradient approximation,GGA)对富勒烯C72和内掺金属La富勒烯La2@C72三种同分异构体的几何结构和电子结构进行研究.发现在C72的三种同分异构体中,满足独立五边形规则(isolated-pentagon-rule,IPR)的C72(D6d)结构最为稳定;在La2@C72三种同分异构体中,有着两对两两相邻五元环(twofused-pentagon)的La2@C72(#10611)结构最为稳定,而满足IPR的La2@C72(D6d)的结构变成了最不稳定结构.从能级图和态密度图分析得知,笼子稳定性的变化与La原子的原子轨道与C72原子轨道之间的杂化有关.Mulliken电荷分析得知,La2@C72(#10611)的两个La原子共转移了约3个电子给C72,并且,它们几乎分布在整个C笼上,形成的电子结构为La23+@C3-72.净自旋分析得知,La2@C72(#10611)中La原子磁性完全淬灭.     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构     

Ag+掺杂的立方相Y2O3:Eu纳米晶体粉末发光强度研究

采用化学自燃烧法制备了不同Ag⁺掺杂浓度的Y₂O₃:Eu纳米晶体粉末样品(［Y³⁺］∶［Eu³⁺］∶［Ag⁺］=99∶1∶X，X=0—3.5×10^-2)，以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加，荧光发射强度随之增加，当X=2×10^-2时达到最大值，其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加，样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱，激发光谱，X射线衍射图谱，透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究，分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合，从而使这一无辐射通道阻断，使发光中心Eu³⁺的量子效率提高；Ag⁺的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高.