托卡马克中磁流体不稳定性与高能量离子相互作用

在托卡马克中,磁流体不稳定性与高能量离子相互作用是一个非常重要的问题,它对未来聚变堆稳态长脉冲运行至关重要。HL-2A是我国第一个具有先进偏滤器位形的非圆截面的托卡马克核聚变实验研究装置。撕裂模是托卡马克中的一种基本的电阻磁流体不稳定性,它可以改变磁场的拓扑结构,形成输运短路,甚至会触发大破裂。高能量离子在燃烧等离子体和各种外部辅助加热过程中是不可避免会产生的。目前,撕裂模与高能量离子相互作用依然存在一些关键性问题,例如撕裂模与高能量离子相互作用的共振关系、该物理过程导致高能量离子损失的物理机理等,并且还没有完整的关于撕裂模与高能量离子共振相互作用的数值模拟工作。因此,本综述论文主要从以下三个方面展开:1)回顾撕裂模与高能量离子相互作用的研究历史;2)基于HL-2A实验,从数值模拟的角度讨论撕裂模与高能量离子共振相互作用的物理机理以及其导致高能量离子损失的物理机制;3)展望未来聚变堆中撕裂模与高能量离子相互作用的情况。     

数字下变频的零点漂移现象分析与抑制方法

针对在定点运算平台(比如可编程逻辑器件FPGA)上进行数字下变频的过程中截位操作不当产生的误差会引起输出的基带信号出现零点漂移现象,造成接收机动态范围下降的问题,文中分析了数字下变频中的直接截位产生零点漂移现象的原因,并提出了趋向截位和舍入截位两种截位方法,可以使截位误差的均值近似为零,有效地抑制了零点漂移现象.     

加氢脱氮催化研究的新进展

化石燃料的加氢脱氮有利于改善油品质量及其稳定性,同时避免燃烧时NO_x的排放。本文介绍了不同化石燃料中有机氮化物的含量及类型,对不同加氢脱氮催化剂及其催化活性位的本质进行了探讨,同时论述了C—N键断裂机理及燃料中主要有机氮化物的HDN反应网络。着重概述了传统金属硫化物催化剂的改性方法,新型的金属碳化物、金属氮化物和金属磷化物催化剂的研究现状。     

乙烯基四配位硅与HEMA共聚物的制备及性能

Laine研究小组直接用二氧化硅和乙二醇在无机碱的作用下,合成了五配位硅化合物：Laine研究的意义在于他开创了低温合成配位有机硅化合物的先河,这种方法有四个优点,（1）能耗小;（2）原料来源丰富,价格低廉,二氧化硅占地壳的1／4,乙二醇也很便宜;（3）污染小;（4）制得的五配位硅化合物反应活性非常高。但Laine在聚合物方面做的工作较少,过去只是把这个方法应用于高性能陶瓷玻璃的制备以及离子导电聚合物的研究中J,主要是解决不了五配位硅钾化合物的水解可逆性问题。     

OLED矩阵同步显示VGA视频的灰度控制研究

研究探讨了有机电致发光显示器件(OLED,96RGB×64)矩阵同步显示VGA视频的灰度控制。设计采用“位平面加权”的方法重现灰度,利用对2组SRAM交替读写的方法进行同步缓冲,整个电路系统是基于ALTERA公司的可变程逻辑(FPGA)技术进行设计的。仿真结果表明,该方案能够实现预定目标,在OLED矩阵上实现多灰度、全彩色的同步VGA视频显示。     

基于部分位平面交替偏移的感兴趣区图像编码

提出一种基于部分位平面交替的感兴趣区（ROI）图像编码方式-PBAshift。采用4个策略提高编码效率：1）向上偏移最重要ROI位平面至最大背景（BG）位平面之上,保证最重要ROI位平面得到优先编码;2）将最重要的BG位平面与一般重要ROI位平面交替偏移;3）重要性一般的BG位平面与重要性最差的ROI位平面不偏移;4）向下偏移重要性最差的BG位平面。实验表明,PBAShift不仅支持元需ROI形状信息的单ROI编码,而且支持不同兴趣度下的多ROI编码,对今后医药与遥感图像压缩具有重要意义。     

HL-2M常规偏滤器位形抽气对碳杂质分布影响的模拟分析

在小角度V型结构的HL-2M常规偏滤器位形下,采用SOLPS 5.0程序研究了抽气速率Sp对装置粒子排除控制能力及溅射产生的碳杂质分布的影响.模拟结果表明,当进入边缘区域的能量为4MW、上游密度为n sep=3.0×10 m-3时,过高的抽气速率(大于40m3?s-1)将迅速降低靶板附近中性粒子压强和等离子体密度,并引...     

大幅降低功耗的高性能64位处理器

P．A．Semi（Santa Clara,美国加州）公司准备发布一款高性能的64位处理器,据称可以在同样性能的水平下,将功耗降低到目前产品的1／10。PA6T-1682M通过采用新的架构设计、工艺的改进和先进的时钟管理技术来实现低功耗,芯片上的门控时钟多达15000个。     

智能传感器接口的优势

采用智能化更高的传感器接口能将16位的高性能CPU与16位ADC的处理功能相结合,从而大幅简化设计工作,尤其是在集成解决方案体积较小、价格较低的时候更是如此。本文将重点介绍上述数据采集系统架构的各种优势,其中包括更低功耗、更小体积、更少的主机CPU负载、功能齐备以及传输中可配置性等。     

碳纳米管的可控长度拾取及导电性分析

拾取指定长度的半导体性碳纳米管对大规模制造碳纳米管场效应管具有重要意义.本文提出了一种利用原子力显微镜探针和钨针对碳纳米管进行可控长度拾取的方法并进行了碳纳米管导电性分析.在扫描电子显微镜下搭建微纳操作系统,针对切割操作过程中原子力显微镜探针、钨针和碳纳米管的接触情况进行了力学建模和拾取长度误差分析.建立了单根金属性碳纳米管、单根半导体性碳纳米管及碳纳米管束与钨针接触的电路模型,推导了接入不同性质碳纳米管后电路的电流电压特性方程.使用原子力显微镜探针对碳纳米管的空间位姿进行调整,控制钨针对碳纳米管上目标位置进行通电切割,同时获取切割电路中的电流电压数据.实验结果表明,本文提出的方法能够有效控制所拾取碳纳米管的长度,增加碳纳米管与原子力显微镜探针的水平接触长度能够减小碳纳米管形变导致的拾取长度误差,建立的电流电压特性方程能够用于分析碳纳米管的导电性.