KNbO_3倍频产生488.5nm ps蓝光

用6.9×5.3×3.3mm~3的KNbO_3晶体对光学参量放大系统输出的波长连续可调近红外光进行倍频,产生485～493nm连续可调的ps蓝光。488.5nm的能量转换效率为2.6％,峰值功率大于2kW。     

固体激光器泵浦输出波长在1428nm的单级拉曼光纤激光器

介绍了一种作为拉曼光纤放大器中的泵浦源使用的1428nm波长的拉曼单级频移光纤激光器,采用固体激光器产生的1342nm波长作为泵浦波长,得到240mW的1428nm输出,光一光转换效率在28％左右。     

半导体激光的新应用

半导体激光器（LD）在临床上有着广泛的用途。新型1470nm半导体激光与传统的1.06μm YAG激光相比具有较强的组织吸收率,与10.6μm CO₂激光相比则具有较高的切割效率,适用肿瘤切除,外科手术,腹腔镜手术等微创手术。1470nm半导体激光的能量既能被血红蛋白吸收也能被细胞水吸收,热量能集中在体积很小的组织内,迅速汽化分解组织,在治疗良性前列腺增生和妇科疾病上具有良好的应用前景。     

343 nm飞秒激光制备微孔阵列以增强聚氨酯合成革透湿性

为了提高聚氨酯(PU)合成革透湿性,分别使用343 nm飞秒激光和作为对比的1030 nm飞秒激光及1064 nm纳秒激光制备微孔阵列。采用扫描电镜(SEM)和3D激光扫描显微镜对比研究了微孔形貌。结果表明,343 nm飞秒激光可以制备出效果最佳的微孔。此外,分析了3种激光与PU涂层的作用机理,揭示了343 nm飞秒激光合成革微钻孔过程仅表现为光化学烧蚀,光化学和光热烧蚀同时发生于1030 nm飞秒激光钻孔过程,而1064 nm纳秒激光只显示了光热烧蚀。激光合成革表面钻孔后,测量其透湿性和抗张力。结果显示: 微孔密度越大,皮革透湿性(WVP)越大而抗张力越低,脉冲重叠的增加会导致WVP的增加和抗张力的下降;同时,随着脉冲重叠从91.7%降到50%,微孔直径从45 μm降低到30 μm,而微孔锥度从0.7°增加到12.1°;当脉冲重叠率为91.7%,微孔密度为2550/cm²时,最大的WVP增长率为306%。     

低阈值852nm半导体激光器的温度特性

通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。     

Material and process challenges in 100 nm interconnects module technology and beyond

In order for ultra-large-integrated (ULSI) circuits manufacturing to minimize the Cost of Ownership (CoO) aspect in the wiring process and realize fabricating semiconductor devices over 100 nm node, several Cu/low-k wiring technologies have been proposed. The evidential criteria in choosing the most probable one are physical or material limitation and requirements from manufacturing. A development of module processes (e.g., processing from low-k dielectrics to metal CMP) with proven equipment and material is an appropriate approach and has a high potential in overcoming those difficulties. In this paper, an advantage of dual Damascene Cu wiring accompanied with low-k (dielectric constant ∼2.7) and prediction of 100 nm Cu wiring module will be discussed.     

LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频589 nm黄光激光研究

报道了LD端面抽运c切Nd:YVO₄自拉曼倍频黄光激光器的研究. 采用10 mm长,二类临界相位匹配角 (θ=69°,ø=0°)切割的KTP晶体作为倍频晶体. 考虑到c切Nd:YVO₄跃迁截面较小,所以通过对谐振腔及晶体膜系的严格设计,减少腔内插入损耗和衍射损耗. 最终在脉冲重复率为10 kHz,抽运功率为11.2 W下,获得了最高570 mW的倍频黄光激光输出,对应抽运光到倍频黄光的转化效率约为 关键词： 拉曼激光 c切Nd:YVO₄')" href="#">c切Nd:YVO₄ 589 nm 黄光激光     

高分辨率405 nm激光显微成像系统研究

 研究了405 nm短波长激光作为照明光源、数值孔径0.65显微物镜组成的显微成像系统。采用该系统对CD-R及DVD-R盘片进行了显微成像,并对激光成像散斑进行了消除,同时利用CCD图像传感技术和图像采集技术对显微图像进行实时观察与存储,与卤素灯白光作为照明光源时的显微图像进行了比较。结果表明：该系统在卤素灯白光作为照明光源时对CD-R盘片信息点可清晰分辨,但对DVD-R盘片信息点的图像不可分辨;而在405 nm激光照明时信息点均可清晰分辨,系统分辨优于400 nm,明显高于普通卤素灯白光照明系统。     

一种占空比可调的高速电平转换电路

提出一种占空比可调的高速电平转换电路,能够将频率高达1.33 GHz的低电压域信号提升至高电压域输出。在传统电平转换电路的基础上,增加了占空比调节电路,使得电路工作在不同I/O域时,通过调整接入的PMOS管数量来间接调整控制管的宽长比,进而实现占空比可调。增加了快速响应电路,引入首尾相接的反相器组,通过正反馈功能,加速实现电平转换。基于Global Foundry 14 nm CMOS工艺进行电路设计,采用SPECTRE软件进行仿真。仿真结果表明,该电路能够实现从0.9 V核心电压到2.5 V I/O电压的稳定转换,传播延时为225 ps,占空比为49.63%。当高电压域电压变换为1.8 V后,通过占空比调节电路,使占空比仍可保持在50%左右。     

LD泵浦Nd:YVO_4双波长运转腔内和频491nm激光器

分析了Nd:YVO4激光器实现双波长运转及腔内和频的条件,利用一种LD泵浦Nd:YVO4晶体产生1 064 nm和914 nm双波长激光束,采用一个线性平凹腔结构,利用腔内Ⅰ类临界相位匹配LBO和频,获得了连续波输出的全固态激光器。实验采用端面结构,在5.0 W的808 nm泵浦功率下,获得了最高功率为2.5 mW连续波TEM00的激光输出,光-光转换效率为0.05%。