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31.
32.
本文摘要介绍了河北省白沟镇双向网络服务功能及网络规划设计的理念,重点讲述了反向上行通道的设计、调试及经验数值和采用设备。 相似文献
33.
通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。 相似文献
34.
35.
简要分析1 550 nm光发射机和EDFA的技术特点,说明SBS应用的基本原则,举例说明光发射机与EDFA配合使用的正确方案,以获得更好的技术支持。 相似文献
36.
为了提高聚氨酯(PU)合成革透湿性,分别使用343 nm飞秒激光和作为对比的1030 nm飞秒激光及1064 nm纳秒激光制备微孔阵列。采用扫描电镜(SEM)和3D激光扫描显微镜对比研究了微孔形貌。结果表明,343 nm飞秒激光可以制备出效果最佳的微孔。此外,分析了3种激光与PU涂层的作用机理,揭示了343 nm飞秒激光合成革微钻孔过程仅表现为光化学烧蚀,光化学和光热烧蚀同时发生于1030 nm飞秒激光钻孔过程,而1064 nm纳秒激光只显示了光热烧蚀。激光合成革表面钻孔后,测量其透湿性和抗张力。结果显示: 微孔密度越大,皮革透湿性(WVP)越大而抗张力越低,脉冲重叠的增加会导致WVP的增加和抗张力的下降;同时,随着脉冲重叠从91.7%降到50%,微孔直径从45 μm降低到30 μm,而微孔锥度从0.7°增加到12.1°;当脉冲重叠率为91.7%,微孔密度为2550/cm2时,最大的WVP增长率为306%。 相似文献
37.
两种波长激光血管内照射生物效应比较 总被引:2,自引:0,他引:2
目的:研究同等照射条件的低强度532nm与633nm激光血管内照射生物效应的特点。方法:用532nm和633nm激光对健康大耳白家兔血管内照射,平均照射功率均设定在5mW左右,照射总能量约12J。两组家兔均于照前及照后1d、4d、7d、11d采集外周血,检测血浆ET、NO、MDA含量和SOD活性。结果:两组家兔上述各指标随照后时间的变化规律相似,经方差分析组间各指标都没有显著性差异。结论:同等照射条件下,低强度532nm与633nm激光照射血液的生物效应相似。 相似文献
38.
现有荷电器对 1∼3 nm 气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软 X 射线气溶胶双极荷电器,
通过结构设计的改进极大地提高了 3 nm 以下气溶胶的通过效率, 同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍
与现有荷电器相近。实验室评测结果表明: 在 1 L·min−1 流量下, 新型荷电器对 3 nm 以下不同粒径气溶胶的通过效率
与 TSI 3088 软 X 射线荷电器相比可提高 175%∼300%; 在 2.5 L·min−1 流量下, 可提高 115%∼173%。同时, 新型荷电器
对 10∼40 nm 及 3 nm 以下气溶胶的本征荷电效率与目前广泛使用的 Fuchs 稳态理论近似公式计算得出的荷电效率及
其他类似荷电器的实测荷电效率基本吻合。相对于现有的商业荷电器, 该新型荷电器对 3 nm 以下气溶胶有着更高的
表观荷电效率, 具有潜在的应用价值。 相似文献
39.
40.
Takayuki Ohba 《Journal of Electronic Materials》2001,30(4):314-319
In order for ultra-large-integrated (ULSI) circuits manufacturing to minimize the Cost of Ownership (CoO) aspect in the wiring
process and realize fabricating semiconductor devices over 100 nm node, several Cu/low-k wiring technologies have been proposed.
The evidential criteria in choosing the most probable one are physical or material limitation and requirements from manufacturing.
A development of module processes (e.g., processing from low-k dielectrics to metal CMP) with proven equipment and material
is an appropriate approach and has a high potential in overcoming those difficulties. In this paper, an advantage of dual
Damascene Cu wiring accompanied with low-k (dielectric constant ∼2.7) and prediction of 100 nm Cu wiring module will be discussed. 相似文献