Laser induced copper electroless plating on polyimide with Q-switch Nd:YAG laser

The results of laser induced deposition of copper on polyimide substrate from copper electrolyte solution are reported. Unlike most work reported in the literatures where CW Ar⁺ lasers were used, a second harmonic (532 nm wavelength) Q-switch Nd:YAG laser was used for our experiments. The deposition process was conducted by laser-catalyzing of the polyimide surface and subsequent photothermal-accelerated reduction of copper-complex ions in an alkaline reducing environment. The characteristics of the deposited copper line were investigated in terms of laser beam scanning speed, and the number of scans. The surface morphology and chemical composition of the deposited copper were analyzed using field emission scanning electron microscope (FESEM) and energy dispersive spectrometer (EDX). The optimum processing conditions have been identified. The copper deposit was found to adhere well to the substrate.     

浸没式光刻的优势和可行性

浸没式光刻通过高折射率的液体充入透镜底部和片子之间的空间使光学系统的数值孔径具有显著的优势。在193nm曝光系统中,水(折射率为1.44)被选作最佳的浸入液体。通过成像模拟,现已证明ArF穴193nm雪浸没式光刻(NA=1.05～1.23)与F2穴157nm雪干法穴NA=0.85～0.93雪光刻具有几乎相同的成像性能。结合流体力学和热模拟结果,讨论了ArF浸没式曝光设备的优势和可行性。     

28 nm低功耗工艺SRAM失效分析

在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值.     

138 W窄脉宽全固态绿光激光器

报道了绿光平均功率达138 W的声光调Q内腔倍频全固态Nd∶YAG绿光激光器。为了进一步提高绿光激光器的输出功率以及压窄脉宽,通过倍频晶体相位匹配角随温度变化的分析以及腔型的研究,设计并优化了U型谐振腔。实验中采用两个聚光腔,每个聚光腔由35个20 W的高功率激光二极管(LD)侧面抽运Nd∶YAG棒,利用Ⅱ类相位匹配KTP晶体腔内倍频,实现了高平均功率内腔倍频激光器的稳定运转。在两个聚光腔的激光二极管抽运电流分别为18.5 A,20.5 A时,获得了重复频率为10 kHz,脉冲宽度优于49 ns,输出功率为138 W的高功率、高重复频率、窄脉宽绿光(532 nm)输出,光-光转换效率为14.1%,不稳定度为±2.8%。     

日光对532nm激光成像性能影响实验分析

532 nm激光成像雷达在成像过程中容易受到日光干扰而降低图像信噪比。利用532 nm条纹管激光雷达对复杂场景(建筑物群)进行昼夜成像实验,并采用直方图统计法分析同一场景分别在白昼和夜晚的激光强度像和距离像的像素值分布,进而分析日光对激光成像性能影响。实验结果表明:日照光会提高激光强度像的亮度以及背景/目标的对比度,同时也增加了距离像的空天背景噪声;夜晚激光距离像信噪比高,但目标强度像对比度不佳。     

基于复合晶体的全固态高功率1064nm激光器的实验研究

研究了最大输出功率超过500W的全固态连续高功率1064nm激光器。为了改善热效应,选用了扩散键合方法制成的复合Nd：YAG,有效地降低了高功率激光器中的激光晶体热透镜问题。在实验中,1064nm输出镜的透过率分别为T=10％、30％、35％和40％,得到了512W 1064nm输出,光-光转换效率达到32％。     

532nm激光照射后的兔视网膜损伤修复

目的:观察532nm激光照射后的兔视网膜损伤和修复。方法:采用(光斑直径约为2mm、照射时间100s、能量密度200J/cm2、532nm)激光照射家兔视网膜后极部,连续观察1d、3d、7d、14d和28d后眼底及组织学改变。结果:照后1d可见明显水肿及出血。3d后凝固斑边界清晰,出血范围扩大,可见脉络膜成纤维细胞开始增生。14d后渗出和出血大部分吸收。28d后大量纤维组织增生及新生血管形成。结论:该照射剂量可以引起家兔视网膜较为严重的损伤,其修复存在一定的规律性。     

808nm波长锁定大功率半导体激光器列阵

大功率半导体激光器列阵(DLA)具有功率高、电光转换效率高、可靠性强、寿命长、体积小及成本低等诸多优点,但其波长随温度变化较大,光谱线宽较宽,这些缺点直接限制了其实际应用.为了解决此问题,采用体布拉格光栅(VBG)构成波长锁定大功率半导体激光器系统.体布拉格光栅可以把波长锁定,同时把光谱线宽压窄,从而有效改善了DLA波...     

激光二极管侧面抽运高功率1338nm Nd∶YAG激光器

报道了一台激光二极管(LD)侧面抽运的高功率连续1338 nm Nd∶YAG激光器.通过分析Nd∶YAG的跃迁谱线和相应的受激发射截面的特点,根据多跃迁谱线激光材料波长选择的耦合率条件,合理设计激光棒和腔镜的耦合率参数.激光谱线测量表明,成功抑制了1064 nm和1319 nm波长激光的振荡.以高功率808 nm激光二极管侧面抽运模块为抽运源,采用平-平腔结构,研究了耦合输出率分别为5.3%,7.4%和11%的输出镜的输出情况,比较分析了不同腔长对激光输出的影响.在抽运功率为555 W时,采用5.3%的耦合输出镜和20 cm腔长,获得大于100 W的1338 nm单一波长激光输出,光-光转换效率大于18%,斜率效率为35%,输出光束的M2因子为36.     

193 nm氟化物增透膜的特性

 为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等光学特性,以及表面粗糙度和应力等特性进行了测量和比较。在分析比较和优化的基础上,设计制备的3层1/4波长规整膜系AlF3/LaF3增透膜在193 nm的剩余反射率低于0.14%,单面镀膜增透膜的透射率为93.85%,增透膜表面均方根粗糙度为0.979 nm,总的损耗约为6％。要得到高性能的193 nm增透膜,应选用超级抛光基底。