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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
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氮化硅的应力严重制约着它的应用,但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了PECVDSixNy,薄膜应力大小与制备工艺的关系,从而揭示了能有效地抑制SixNy应力的工艺途径。文中给出了大量数据,对许多实际问题进行了讨论。 相似文献
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介绍了国产HVM3509微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明:该产品已达到日本HVM3509同类产品标准。 相似文献
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通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析,认为选择单节的四路MUX和DMUX,结合通常为2-3微米双极高速工艺,比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的4∶1MUX和1∶4DMUXJ模拟验证,用2微米高速双极工艺研制已具有初步功能。 相似文献