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本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程,并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。 相似文献
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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
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氮化硅的应力严重制约着它的应用,但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了PECVDSixNy,薄膜应力大小与制备工艺的关系,从而揭示了能有效地抑制SixNy应力的工艺途径。文中给出了大量数据,对许多实际问题进行了讨论。 相似文献