带间共振隧穿二极管(RITD)

带间共振隧穿二极管(RITD)是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件,其特点是启始电压VT和峰值电压Vp较低,电流峰谷比PVCR较大。在导出RITD物理模型和其电流密度方程的基础上重点介绍了InAs/AlSb/GaSbⅡ类异质结RITD、n+InAlAs/InGaAs/InAlAs/In-GaAs/p+InAlAsp-n结双势阱Ⅰ类RITD以及δ掺杂RITD三种RITD的器件结构、材料结构、工作原理、器件特性和参数等,并对这三种RITD的特点进行了比较和讨论。     

Transport in a realistic magnetic field modulated nanostructure with the δ-doping

We theoretically investigate electron transport properties in a nanostructure modulated by the realistic magnetic field and the δ-doping. We find that the electron transport properties are strongly dependent on the weight and the position of the δ-doping. These interesting finds may be very helpful for designing the δ-doping-tunable spintronic devices.     

B（N）掺杂单壁碳纳米管的Al原子吸附性能的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法和广义梯度近似,对未掺杂、掺B、掺N的碳纳米管(CNT)不同位置上Al原子的吸附进行了几何优化,计算了吸附Al、掺杂前后CNT的能带结构、态密度、差分电荷密度、电荷布居数和吸附能.计算结果表明,掺B使CNT形成缺电子状态,利于具有自由电子的Al原子的吸附结合,可显著提高Al在金属性的(5,5)CNT和半导性的(8,0)CNT外壁的吸附能;掺杂N形成多电子状态,在费米能级附近半满的施主能级也利于填充Al的价电子,改善Al在(5,5)CNT和(8,0)CNT外壁的吸附结合性 关键词： 密度泛函理论 单壁碳纳米管 B(N)掺杂 Al原子吸附