Mg-Al-Cr-Fe系高温NTC陶瓷材料的改性研究

采用传统陶瓷方法制作了Mg1+xAl0.8Cr0.6Fe0.6Lay(x=–0.10,–0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20;y=0,0.05)系高温NTC陶瓷材料,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了MgO含量及La2O3掺杂对陶瓷材料相结构和电学性能的影响规律。结果表明:适当增加MgO的含量可以有效提高陶瓷材料的常温电阻率和B值(材料常数),La2O3掺杂可改善高温NTC陶瓷材料B值的稳定性。当x=0.15,y=0.05时,在1 873 K烧结可获得ρ25=7.55×1010.cm,B=8 795 K的高温NTC陶瓷材料。     

MoO3和SiO2掺杂对Ce0.8Nd0.2O1.9固体电解质结构和导电性能的影响

采用溶胶-凝胶法合成高纯(<50 mg·kg-1 SiO2)Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)和SiO2含量为500 mg·kg-1的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDCSi)体系,将1mol%MoO3分别加入到NDC和NDCSi体系,比较研究MoO3掺杂对体系微观结构和电性能的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗(AC)分析仪测试材料的电阻。结果表明:MoO3和SiO2的加入均没有破坏体系的立方莹石结构;MoO3掺杂能提高NDC和NDCSi陶瓷材料的致密度,提高其晶界电导率和总电导率;MoO3掺入NDC体系具有烧结助剂的作用,掺入NDCSi体系既具有烧结助剂的作用,又具有晶界改善剂的作用。     

Bi_2O_3/TiO_2纳米复合物的微波合成及光催化性质

以硝酸铋和硫酸钛为原料,通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2纳米复合物,并用XRD、TEM进行了表征。结果表明,直接投料摩尔比为1∶10掺铋TiO2纳米复合物,经500℃热处理后晶型为锐钛矿型,粒径为6～10nm。以催化降解甲基橙来考察其光催化活性,结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂。研究了Bi3+的掺杂量、热处理温度、催化剂用量对掺铋TiO2纳米复合物光催化性能的影响。当催化剂用量为1g/L时,2mg/L的甲基橙溶液在紫外光辐射30min后,降解率达到97%。该复合物对甲基橙溶液的光催化降解符合一级动力学方程。     

低量La3+掺杂S-TiO2光催化剂的制备、表征及其光催化活性

采用溶胶-凝胶-浸渍法制备了La³⁺/S-TiO₂纳米光催化剂,通过XRD、BET、XPS、UV-Vis等手段进行了表征.以甲基橙溶液为光催化降解反应的模型化合物,考察了光催化剂的活性,探讨了低量La³⁺掺杂对TiO₂纳米粒子光催化活性的影响机制.实验结果表明:S改性TiO₂后明显提高了TiO₂纳米粒子的光催化活性,而La³⁺掺杂S-TiO₂后,进一步提高了TiO₂纳米粒子的光催化活性,La³⁺的最佳掺杂量(相对于TiO₂的质量分数)为0.369%;La³⁺/S-TiO₂(ω(La³⁺)=0.369%)为纳米光催化剂时,甲基橙的脱色率达到92.4%(光照120min);XRD和BET分析表明,低量La³⁺掺杂抑制了TiO₂由锐钛矿向金红石的转变,阻碍了TiO₂晶粒的生长,提高了TiO₂的比表面积;XPS分析表明,S、La³⁺掺杂可以导致粉体的表面羟基含量增加,掺杂S以S⁶⁺形式置换TiO₂晶格中的Ti⁴⁺;UV-Vis分析表明,光催化剂La³⁺/S-TiO₂比纯TiO₂具有较强的紫外光吸收性能.与纯TiO₂相比,La³⁺掺杂TiO₂纳米粒子光催化氧化活性的提高应归因于La³⁺掺杂增加了表面羟基含量,增大了比表面积,增强了样品表面的紫外光吸收能力.     

含有δ掺杂层的SiGe pMOS量子阱沟道空穴面密度研究

建立了含有δ掺杂层的SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型，并对该模型进行了数值分析.讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系，阈值电压VT与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟道载流子面密度Ps及本征层厚度di等参数间的关系.同时还讨论了准静态时量子阱空穴面密度P′s与栅压VGS的关系. 关键词： δ掺杂层 空穴面密度     

掺Yb3+双包层石英光纤的研制及其激光特性

用MCVD工艺加溶液掺杂法研制成功了大几何尺寸、大数值孔径内包层的掺Yb3+双包层石英光纤,内包层直径125μm,数值孔径达0.36.完成了包层抽运光纤激光器的初步实验,在波长1.06μm处获得220mW的激光输出,光-光转换效率为26%.     

Limiting current to a rotating disk electrode modified with an electroactive polymeric film in the presence of a redox pair in the adjacent solution volume

Expressions for the limiting current to a rotating disk electrode modified by a conductive polymeric film are obtained for different localization of a redox process that involves redox species in the bulk of the adjacent solution. For an electrode reaction on the modifying film surface, it is shown that the dependence of the limiting current on the bulk concentration of reacting species is described by a curve with saturation. Such a limitation does not arise for a reaction on the electrode substrate. This can serve as a criterion in location of the reaction zone. In addition, other possible prospects of the use of a rotating disk in studying the charge transfer in electroactive polymeric films are discussed.     

Influence of Fe2O3 Doping on TiO2 Electrode for Enhancement Photovoltaic Efficiency of Dye-Sensitized Solar Cells

In this work, we report for the first time the improvement of the photovoltaic characteristics of dye-sensitized solar cells (DSSCs) by doping TiO₂ with Fe₂O₃. DSSCs were fabricated using various percentages of Fe₂O₃-doped TiO₂ composite nanoparticles. The Fe₂O₃-doped DSSCs exhibited a maximum conversion efficiency of 5.76% because of the effective electron transport. DSSCs based on Fe₂O₃-doped TiO₂ films showed better photovoltaic performance than cells fabricated with only TiO₂ nanoparticles. This result was attributed to the prevention of recombination between electrons in the TiO₂ conduction band with the dye or electrolytes. A mechanism was suggested based on impedance results, which indicated improved electron transport at the interface of the TiO₂/dye/electrolyte.     

TiO2/SiO2纤维的表征及其光催化活性

本文采用溶胶-凝胶法及离心甩丝,以TiCl4为钛源、乙酰丙酮为螯合剂成功制备了TiO2/SiO2纤维,并采用XRD 、FE-SEM、FT-IR和DSC -TG等手段对样品结构和性能进行表征.结果表明掺入SiO2可以抑制TiO2晶粒长大和晶型转变,700℃热处理后,未掺SiO2和掺15wt; SiO2的样品晶粒大小分别为32.4 nm和7.6 nm.TiO2/SiO2纤维直径为10～20μm,且表面含有大量纳米气孔.以活性艳红X-3B溶液为降解对象,研究了掺杂量、热处理温度对纤维光催化活性的影响,表明最优的方案为掺15wt; SiO2、热处理制度为700℃/2 h.     

O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响

以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O₂)作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k＝2.62的SiCOH薄膜.研究了O₂掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明，采用O₂掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流，提高薄膜的绝缘性能，这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关. 关键词： SiCOH薄膜 2掺杂')" href="#">O₂掺杂 介电性能 键结构